P沟道(ɡōudào)5.1.1N沟道(ɡōudào)增强型MOSFET5.1.1N沟道(ɡōudào)增强型MOSFET2.工作(gōngzuò)原理当vGS一定(yīdìng)（vGS>VT）时，预夹断(jiāduàn)后，vDS2.工作(gōngzuò)原理3.V-I特性(tèxìng)曲线及大信号特性(tèxìng)方程3.V-I特性曲线及大信号(xìnhào)特性方程3.V-I特性曲线及大信号(xìnhào)特性方程3.V-I特性(tèxìng)曲线及大信号特性(tèxìng)方程3.V-I特性曲线(qūxiàn)及大信号特性方程5.1.2N沟道(ɡōudào)耗尽型MOSFET5.1.2N沟道(ɡōudào)耗尽型MOSFET5.1.3P沟道(ɡōudào)MOSFET5.1.4沟道长度调制(tiáozhì)效应5.1.5MOSFET的主要参数5.1.5MOSFET的主要参数5.1.5MOSFET的主要参数5.2.1MOSFET放大(fàngdà)电路5.2.1MOSFET放大(fàngdà)电路假设(jiǎshè)工作在饱和区5.2.1MOSFET放大(fàngdà)电路5.2.1MOSFET放大(fàngdà)电路5.2.1MOSFET放大(fàngdà)电路5.2.1MOSFET放大(fàngdà)电路5.2.1MOSFET放大(fàngdà)电路2.工作(gōngzuò)原理2.工作(gōngzuò)原理2.工作(gōngzuò)原理与MOSFET类似(lèisì)（2）高频(ɡāopín)模型解：例题(lìtí)感谢您的观看(guānkàn)！