会计学第5章计算机的存储系统第5章计算机的存储系统半导体存储器（Memory）一、RAM原理(yuánlǐ)第5章计算机的存储系统第5章计算机的存储系统2.外围电路(diànlù)（1）地址译码器——对外部地址信号译码，用以选择要访问的单元。第5章计算机的存储系统低功耗CMOSSRAM，容量8K×8bit；DIP封装，单一5V电源(diànyuán)供电。28PIN，输入输出电平与TTL兼容。最大存储时间70～120ns。第5章计算机的存储系统3.读写周期时序(shíxù)第5章计算机的存储系统（一）6225662256是32K*8的CMOS静态(jìngtài)RAM5.2.2动态(dòngtài)RAM（DRAM）μPD424256的容量是256K×4，片内需(nèixū)log2256K=18个地址信号，外接9根地址线，由内部多路开关将外部18根地址线分两次送入。DRDRAM引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线，而引脚数仅为正常dram的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令而不需要增加(zēngjiā)硬件引脚。第5章计算机的存储系统典型的PROM基本存储电路如下图所示。芯片出厂时，开关管T1与位线（数据线）之间以熔丝相连。用户(yònghù)可对其进行一次性编程（熔断或保留熔丝以区分“1/0”）：当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。第5章计算机的存储系统第5章计算机的存储系统第5章计算机的存储系统5.4.1存储器芯片(xīnpiàn)选择第5章计算机的存储系统所以，从T1状态开始到6264中指定(zhǐdìng)单元读出信息到数据总线上的时间为：TCLAVmax＋tAAmax＝110ns＋70ns＝180ns第5章计算机的存储系统5.4.2存储器容量扩充当单片存储器芯片的容量不能满足系统(xìtǒng)容量要求时，可多片组合以扩充位数或存贮单元数。本节以RAM扩充为例，ROM的处理方法与之相同。第5章计算机的存储系统称地址(dìzhǐ)线A0～A12实现片内寻址，A13～A14实现片间寻址。5.58086/8088与存储器连接(liánjiē)第5章计算机的存储系统第5章计算机的存储系统芯片第5章计算机的存储系统第5章计算机的存储系统微机(wēijī)存储器设计要点◆高性能微机系统的高速度、大容量、低价格是评价存储器性能和存储体系设计的三大主要(zhǔyào)指标。◆提高存储器体系性能的三大技术：提高信息吞吐量的多体存储器（并行主存）结构提高CPU访存速度的高速缓冲存储器（Cache）扩大编程逻辑空间的虚拟存储器（VirtualMemory）1并行(bìngxíng)主存储器结构单体(dāntǐ)多字并行主存结构多体交叉存取并行(bìngxíng)主存结构Cache地址映像(yìnɡxiànɡ)方法Cache替换(tìhuàn)策略Cache的读操作(cāozuò)Cache的写操作(cāozuò)虚拟存储器地址(dìzhǐ)的转换感谢您的观看(guānkàn)。