冶金法提纯多晶硅过程中氮化硅涂层的研究的任务书任务书题目：冶金法提纯多晶硅过程中氮化硅涂层的研究研究内容：随着电子信息产业的发展，对硅材料纯度和质量的要求越来越高。目前，冶金法提纯多晶硅已成为主要生产多晶硅的方法。然而，冶金法提纯多晶硅过程中，硅表面会被不少杂质污染，如SiO2和Fe。因此，提高多晶硅的纯度成为本研究的重点。本文将研究一种方法，即在冶金法提纯多晶硅的过程中，利用化学气相沉积技术，在硅表面生成氮化硅涂层，以提高多晶硅的纯度。具体研究内容包括：1.确定氮化硅涂层的优化制备工艺。在化学气相沉积过程中，调节沉积时间、温度和预处理条件等参数，制备出质量优良的氮化硅涂层。2.对比纯多晶硅和氮化硅涂层多晶硅的质量差异。采用电子自旋共振谱和拉曼光谱等测试方法，探究氮化硅涂层对多晶硅材料物理性质的影响。3.确定氮化硅涂层在冶金法提纯多晶硅过程中的应用效果。在实验室条件下，分别制备纯多晶硅和氮化硅涂层多晶硅；通过XRD、ICP、TEM等方法对多晶硅材料纯度进行比较，探究氮化硅涂层在多晶硅提纯过程中的应用效果。4.分析氮化硅涂层制备工艺和提纯效果之间的关系。通过实验数据分析和多元统计方法，建立氮化硅涂层制备工艺和提纯效果的数学模型，为相关领域提供理论支持。研究意义：研究氮化硅涂层在多晶硅提纯过程中的应用效果，对提高多晶硅材料的纯度和质量，推动电子信息产业的发展有着重要意义。进度安排：第1-2个月：文献调研和基础实验。第3-6个月：优化制备氮化硅涂层，并对氮化硅涂层进行物理性质测试。第7-9个月：研究氮化硅涂层和纯多晶硅的差异。第10-12个月：研究氮化硅涂层在多晶硅提纯过程中的应用效果，并建立数学模型。参考文献：[1]林俊国.多晶硅制备技术的发展动态.材料导报,2015(08):18-24.[2]ChristopherP.Ewels,etal.Progressinthestructuralresearchofnano-scaledsilicondevices.Adv.Quant.Chem.，2005(1):1-40.