Bi、Se、Te吸附对np型石墨烯电子结构影响的研究的开题报告题目：Bi、Se、Te吸附对np型石墨烯电子结构影响的研究摘要：石墨烯是一种只有单层碳原子构成的二维材料，具有很多独特的物理和化学性质。为了进一步扩展其应用领域，研究人员开始尝试向其表面吸附其他原子或分子。其中，Bi、Se、Te等半导体材料的吸附对石墨烯电子结构的影响仍需要深入探究。本研究旨在系统地研究Bi、Se、Te吸附对np型石墨烯电子结构的影响，并分析其机理。首先，我们将采用第一性原理计算方法计算不同吸附浓度下的Bi、Se、Te原子的吸附位置、吸附能和吸附结构。其次，通过计算吸附前后石墨烯的能带结构、态密度和电荷密度分布等物理量，探究吸附对石墨烯导电性和光学性质的影响。最后，通过分析吸附机理，探究不同半导体材料吸附对石墨烯电子结构影响的异同点，并提出相应的应用前景。本研究的主要贡献是：（1）系统地研究了Bi、Se、Te吸附对np型石墨烯电子结构的影响；（2）揭示了吸附机理和影响机制，为石墨烯和半导体材料的混合应用提供了理论指导。