LDMOS微波宽带功率放大器设计的中期报告一、引言LDMOS（LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor）功率晶体管以其较高的功率和效率在微波频段的应用中备受青睐。本报告旨在介绍一种基于LDMOS晶体管的宽带功率放大器设计，包括电路拓扑结构、器件参数和仿真结果等。二、电路拓扑结构本设计采用共源共栅（CommonSourceCommonGate，CSCG）结构，如图1所示。图1CSCG结构图其中，L1和L2为匹配电路，分别用于输入和输出端口的阻抗匹配；C1用于输入信号的耦合；C2用于输出信号的阻截，以防反射影响性能。三、器件参数本设计采用基于IMEC0.18umCMOS工艺的LDMOS晶体管（BVX-AM036），其主要参数如表1所示。表1LDMOS晶体管参数|参数|数值||------------|-------||集电极电容|2.4pF||栅极电容|0.06pF||漏源电流|36mA||饱和电流|72mA||工作电压|28V||最大功率损耗|15W|四、仿真结果基于ADS软件，本设计进行了电路仿真，结果如下图所示。图2功率增益和频率响应曲线图3输出功率和效率曲线由图2和图3可知，本设计在2GHz至6GHz的频率范围内，具有较平坦的功率增益响应和较高的输出功率和效率。在2GHz时，功率增益为9dB、输出功率为7W、效率为50%；在6GHz时，功率增益为11dB、输出功率为6W、效率为40%。五、结论本报告介绍了基于LDMOS晶体管的宽带功率放大器设计，采用CSCG结构，进行了电路仿真。仿真结果表明，本设计具有较平坦的功率增益响应和较高的输出功率和效率，在2GHz至6GHz的频率范围内稳定性良好，可用于微波通信、雷达等领域的应用。