一维及准一给无序体系电子输运性质研究的开题报告.docx
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一维及准一给无序体系电子输运性质研究的开题报告题目:一维及准一维无序体系电子输运性质研究研究背景和意义:一维和准一维无序体系是凝聚态物理领域中研究的重点,也是纳米电子学、自旋电子学、量子计算等新领域的基础。由于在这些无序体系中,电子之间的散射导致了电流的局域化,因此理解和控制电子输运性质是目前研究热点。本次研究旨在探索不同一维和准一维无序体系的电子输运性质,尤其是非平衡态时的输运过程,并探寻其在未来电子器件设计中的应用。研究内容:1.对于不同一维和准一维无序体系(如周期势、位置随机性等),建立相应的理论模型,探究其基本电子结构和输运性质。2.对于一维和准一维无序体系中的电子运动,研究其输运性质(如电导、热导等)随温度、电子密度、电场强度、磁场等条件的变化规律。3.研究非平衡态时的输运过程,探索其输运性质的量子分子动力学演化,探讨电子输运的耗散机制。研究方法:1.建立合适模型:利用紧束缚模型或DFT等方法,对研究对象建立相应的理论模型。2.计算输运性质:采用传输矩阵法或其他计算方法,计算不同输运性质的数值结果。3.研究输运过程:采用数值模拟方法(例如量子蒙特卡罗法)模拟非平衡态时的输运过程。预期成果:研究将探索一系列不同一维和准一维无序体系电子输运性质的规律,揭示其耗散机制,为制备高性能未来电子器件提供理论基础。参考文献:[1]L.W.Wang,S.G.Louie,“ElectronTransportinNanoscaleSystems”,AnnualReviewofMaterialsResearch,2011,41:337-367.[2]M.Bockrath,“Single-MoleculeElectronics”,NatureNanotechnology,2014,9:859–866.[3]C.Bai,X.Wang,W.Yang,J.Xiao,“ElectronicTransportPropertiesofSingle-AtomJunctions”,MaterialsToday,2017,20:119-130.