基于CMOS工艺射频前端混频器研究的中期报告射频前端混频器是一种重要的射频电路之一，主要用于接收信号的频率转换和信号放大放大等操作。在CMOS工艺下研究射频前端混频器可以实现低成本、高度集成的芯片设计。本中期报告将介绍基于CMOS工艺射频前端混频器研究的进展情况。1.研究背景射频前端混频器是接收机中的重要组件之一，其主要作用是将高频信号转换为中频信号，以便进行后续信号处理。常用的混频器包括有源混频器和无源混频器。有源混频器常用集成电路打造，但其存在较大的杂散响应和功耗问题。无源混频器则由传统的二极管混频器逐渐演进而来，但是其实现过程相对复杂。随着CMOS工艺技术的不断推进，基于CMOS工艺实现的高性能射频前端混频器已成为研究热点。2.研究内容和进展针对上述问题，我们对基于CMOS工艺射频前端混频器进行了研究。研究内容主要涉及以下方面：（1）针对无源混频器的设计：我们采用了三阶集总电容滤波器结构并在其基础上依次加入级联振荡器电路，该电路具有较低的功耗和高的转换增益，实现了在较低的供电电压下工作且在整个工作频率范围内都具有较高的增益性能。（2）设计高效射频前端混频器：基于前一阶段的研究，我们进一步对于射频前端混频器进行了优化，实现了更低的功耗和更高的转换增益。（3）实现低噪声射频前端混频器：通过优化输入电路和实现电源噪声抵消技术，我们进一步降低了将杂散响应和本底噪声对于射频接收的影响，实现了低噪声混频器的设计。3.研究成果和展望通过上述研究，我们设计实现了基于CMOS工艺的射频前端混频器。在整个设计过程中，我们考虑了芯片的面积、功耗、增益、频率响应等重要指标，并达到了较好的性能。未来，我们还将对该设计进行优化，扩展其工作范围和性能，使其更好地适应各种应用场景。同时，我们还将继续探索CMOS工艺下射频器件的设计和实现，推动射频器件的研究进一步发展。