NbNA1NNbN结的制备与性能的开题报告本开题报告主要介绍NbN-AlN-NbN（NbNA1NNbN）结的制备方法以及其基本性能。NbNA1NNbN结在微波电子学等领域具有广泛应用，因此其制备和性能研究是非常重要的。首先，介绍NbNA1NNbN结的制备方法。该结构由两个NbN和一个AlN层组成。制备过程中，首先通过直流磁控溅射法在镍基片上形成一个NbN层。然后在NbN层上制备一个AlN层，方法包括磁控溅射和氮化法。最后在AlN层上再制备一个NbN层，得到NbNA1NNbN结。制备过程需要注意控制温度、压力和沉积速度等参数，以获得较好的NbNA1NNbN结构。接下来介绍NbNA1NNbN结的基本性能。该结构具有高的电阻率、热稳定性和稀土元素的防粒子辐射能力。同时，NbNA1NNbN结的晶格常数与GaAs相近，因此在微波电子学中有很好的匹配度。同时，NbNA1NNbN结还具有优良的超导性能，可以作为微波器件中的超导电性材料，如SIS混合器等。此外，NbNA1NNbN结还有良好的光学性能，可作为紫外探测器等领域的载体材料。综上所述，NbNA1NNbN结通过直流磁控溅射法和氮化法制备而成，具有优良的电学、超导和光学性能，在微波电子学、探测器等领域有广泛的应用前景。