PTCDAp-Si光电探测器的研制与性能研究的中期报告该研究旨在研发一种基于PTCDAp-Si材料的光电探测器，并对其性能进行研究。现在进行中期报告如下：材料制备我们采用化学气相沉积（CVD）方法在单晶硅（Si）衬底上沉积了PTCDAp薄膜。在CVD过程中，采用了3种不同的硼源气体（PH3、B2H6和B(OEt)3）以探究不同掺杂浓度的PTCDAp薄膜对探测器性能的影响。然后，采用电子束蒸发（EBE）技术，在PTCDAp-Si上沉积了金（Au）电极。性能测试我们测量了PTCDAp-Si探测器的电学特性、光谱响应和光子暗计数率等性能指标。结果表明，控制不同硼源气体的流量能够有效地调控PTCDAp薄膜的掺杂浓度。在光谱响应测试中，我们观察到PTCDAp-Si的响应波长为400至800纳米，且在紫外光区域具有较高的响应度。此外，光子暗计数率的测试也表明，PTCDAp-Si探测器具有优异的光子检测性能。下一步工作在接下来的研究中，我们将进一步探究PTCDAp-Si材料的光电性能，包括响应时间、光电子倍增等。此外，我们还将对控制PTCDAp的掺杂浓度对探测器性能的影响进行深入研究。最终，我们希望通过这项研究，开发出一种高性能的PTCDAp-Si光电探测器，为光电子学领域的应用提供重要的技术支持。