Fe-Ni-Cr膜上石墨烯的制备、生长过程及其场发射特性研究的综述报告石墨烯是具有异形电子特性，具有出色的电导率，热导率，高机械强度，并具有极高的比表面积，因此在电子学，传感器，储能等领域具有广泛的应用前景。石墨烯的制备方法具有机械剥离法，化学还原法，物理气相沉积法，化学气相沉积法等几种方法，其中化学气相沉积法已被广泛应用于石墨烯的制备。近年来，科学家们已经用它制作了一些石墨烯的生长基板，例如金属基板，类石墨基板，这些基板的选择对石墨烯的生长过程有很大的影响。Fe-Ni-Cr合金基板也是一个常见的基板，在石墨烯的制备中具有广泛的应用。本文将综述石墨烯在Fe-Ni-Cr合金基板上的制备方法、生长过程的影响因素以及其场发射特性。1.Fe-Ni-Cr基板上石墨烯的制备方法在Fe-Ni-Cr基板上制备石墨烯的方法主要分为两种类型：化学气相沉积法和热解法。其中，化学气相沉积法已成为Fe-Ni-Cr基板生长石墨烯的主要方法。化学气相沉积法，简称CVD法，是通过将引入含碳气体和原料气体浓度控制在一定的条件下，沉积在基板上的一种方法。具体而言，该方法是通过()在高温状态下，较高的碳原子浓度使得石墨烯的生成尤为容易。热解法是另一种制备石墨烯的方法，在该方法中，石墨烯可以通过在高温下通过分解气相载体材料来获得。虽然这种方法可以在不使用昂贵的气相沉积设备的情况下获得石墨烯，但这种方法的成本很高，而且需要较高的温度和较长的时间。2.Fe-Ni-Cr基板上石墨烯的生长过程的影响因素2.1温度温度是制备石墨烯的最重要的因素之一，石墨烯的生长在高温下进行，石墨烯的生长温度通常在800-1000℃之间。在一定温度范围内，随着温度的升高，石墨烯的结构也会发生变化,同时生长速度也会加快,但过高的温度也会导致生长的质量不佳。2.2基板分子结构Fe-Ni-Cr基板上生长石墨烯的结构与基板的组成和性质密切相关，因此在选择基板材料时，需要考虑材料的晶体结构和表面特性等因素。其中,Fe-Ni-Cr合金的晶体结构较为理想。2.3气氛沉积器保护的气氛对石墨烯的生长也有非常大的影响，如在还原性气氛下，石墨烯的形态稳定性和性能均很强。碳源气氛的含量和成分也会影响石墨烯的生长，例如在甲烷气氛中，石墨烯的单层生长速度比在氢气气氛中快得多。3.Fe-Ni-Cr基板上石墨烯的场发射特性石墨烯本身作为一种优异的导电和导热材料，可以增强场强固有的电子发射能力，从而实现极低电压下的电子发射性质。石墨烯的场发射性质对于制备电子场发射显示器件等具有理论和实际应用价值。具有以下优点：(1)高场发射电流(2)低发射电压(3)长的稳定电子发射寿命(4)极度均匀的场发射性良好的均匀性通过对石墨烯在Fe-Ni-Cr基板上的研究，科学家们已经发现，由于Fe-Ni-Cr基板的晶体结构和表面特性等因素，石墨烯在这种基板上具有较好的场发射性能，并且在应用中具有广泛的潜力。综上所述，石墨烯在Fe-Ni-Cr基板上的制备及其生长过程受到很多因素的影响。选择适当的制备方法和控制合适的温度和气氛以及选择合适的基板材料，可以实现高质量的石墨烯生长。同时，石墨烯在Fe-Ni-Cr基板上具有良好的场发射性质，这为将其应用于高端电子器件中开辟了更多的可能性。