二CMOS晶体管基础1、工作原理线宽(Linewidth),特征尺寸(FeatureSize)指什么？Lmin、Wmin和tox由工艺确定Lmin：MOS工艺的特征尺寸(featuresize)决定MOSFET的速度和功耗等众多特性L和W由设计者选定通常选取L=Lmin，由此，设计者只需选取WW影响MOSFET的速度，决定电路驱动能力和功耗①VGS〈Vthn时沟道夹断2、阈值电压（ThresholdVoltage）对于一般工艺，Vtn=0.83V(NMOS的阈值电压),Vtp=-0.91V(PMOS的阈值电压）,阈值电压由工艺参数决定3、MOSFET的I-V特性(线性区TriodeRegion)MOSFETI-V特性(饱和区SaturationRegion)当晶体管被夹断(pinchoff)时,发生了什么?增大VDS使耗尽区扩大到沟道中.这导致ID随VDS的增加而增大.因此ID可写为:MOSFETI-VCharacteristics(伏安特性）曲线线性区(Linear):4、MOSCapacitanceCapacitancevaluesarethesameasAccumulationandCapacitanceiscomprisedofthreecomponentsCap.N+Act.P+Act.PolyM1M2M3UnitsArea(sub.)5269378325108aF/um2Area(poly)541811aF/um2Area(M1)4617aF/um2Area(M2)49aF/um2Area(N+act.)3599aF/um2Area(P+act.)3415aF/um2Fringe(sub.)249261aF/um5、MOSFET的交流小信号模型(AnalogModelfortheMOSFET)Small-SignalModelofMOSFETNMOS管的阈值电压VTHN可表示为:饱和区NMOS管的漏极电流IDS可表示为:总的(AC+DC)的漏极电流iDS为:因此:6、MOSFET的简单数字模型(ASimpleDigitalModelfortheMOSFET)7、衬偏调制效应（体效应）ＶＴ的变化曲线8MOSFET的温度特性9、CMOS的剖面结构图6/22/98年春