ESD与latchup测试介绍1、ESD模型分类人体放电模式(Human-BodyModel,HBM)机器放电模式(MachineModel,MM)机器放电模式(MachineModel,MM)机器放电模式(MachineModel,MM)组件充电模式(Charged-DeviceModel,CDM)电场感应模式(Field-InducedModel,FIM)HBM,MM与CDM模型参数比较大家学习辛苦了,还就是要坚持2KVHBM,200VMM,与1KVCDM得放电电流比较,其中1KVCDM得放电电流在不到1ns得时间内,便已冲到约15安培得尖峰值,但其放电得总时段约在10ns得时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路得损伤。HBM,MM与CDM比较2、HBM与MM测试方法标准2、HBM与MM测试方法标准2、HBM与MM测试方法标准2、HBM与MM测试方法标准2、HBM与MM测试方法标准HBM与MM测试方法所有管脚(一次一根)对(第X组)接地管脚(接地)所有管脚(一次一根)对(第y组)电源管脚(接地)所有I/O管脚(一次一根)对所有其她I/O管脚(接地)NC管脚——依美军标MIL-883不测试——依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试在每一测试模式下,IC得该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压,而且在同一ESD电压下,IC得该测试脚必须要被Zap三次,每次Zap之间得时间间隔约一秒钟,Zap三次之后再观瞧该测试脚就是否己被ESD所损坏,若IC尚未被损坏则调升ESD得电压,再Zap三次。此ESD电压由小而逐渐增大,如此重复下去,直到该IC脚己被ESD所损坏,此时造成IC该测试脚损坏得ESD测试电压称为『静电放电故障临界电压(ESDfailurethreshold)』。如果每次调升得ESD测试电压调幅太小,则测试到IC脚损坏要经过多次得ESD放电,增长测试时间;若每次调升得ESD测试电压太大,则难以较精确测出该IC脚得ESD耐压能力。规定:正负极性均要测试从低压测到高压,起始电压为70%得平均ESDfailurethreshold(VESD)步进当小于1000V时步进50V(100V),大于1000V时步进100V(250V,500V)可以就是一个管脚步进测量或者所有管脚扫描测量最短间隔时间与测试次数每一脚都有ESDfailurethreshold。此颗IC得ESDfailurethreshold定义为所有IC脚中ESDfailurethreshold最小得那个电压值,因此,该颗IC得ESDfailurethreshold仅达500V。IC制程特性有时会有小幅得(10%)漂移,所以在相同批次IC中随机取样至少大于5颗。HMBESDfailurephoto3、CDM模型与测试方法标准3、CDM模型与测试方法标准6、拴锁测试6、拴锁测试6、拴锁测试6、拴锁测试使用curvetracter测试拴锁6、拴锁测试8、ESD测试标准与分类