Core-shell结构半导体量子点能级计算的中期报告在进行半导体量子点能级计算前，需要先对半导体材料的基本特性进行了解和分析。半导体材料的能带结构可以通过紧束缚模型或者密度泛函理论（DFT）进行计算。其中，DFT是比较常用的方法，可以通过计算材料的电荷密度来预测材料的能带结构和能级分布。半导体量子点主要有三种结构：球形、棱镜形和核壳结构。其中，核壳结构比较常见且具有优异的性能，因此我们本次计算的对象为核壳结构的半导体量子点。核壳结构的半导体量子点由一个核心和外壳组成，核心材料和外壳材料一般不同。此外，外壳材料的能隙比核心材料的能隙大，因此外壳能够限制电子和空穴在核心内部的运动，使得系统在空间中形成电荷分布不均的“壳层电荷掩埋”现象。这种现象可以在实验中用来提高材料的荧光量子产率。针对核壳结构半导体量子点的能级计算，我们采用了近似为“密度泛函理论加Hartree-Fock(DFT+HF)”的计算方法。即，通过密度泛函理论计算电荷密度，然后在电荷密度的基础上采用Hartree-Fock方法对交换-相关项进行校正。为了提高计算效率，我们使用了基于Wannier函数的光谱投影算法进行计算。目前，我们已经完成了具有核壳结构的半导体量子点的能带结构和能级分析。下一步，我们将进一步分析不同尺寸、不同壳层组成的半导体量子点的能级分布和荧光光谱。最终，我们希望通过计算模拟，深入研究半导体量子点光电性质，为材料的制备和应用提供理论指导。