SOI亚微米尺寸光波导和PIN-MZI型电光调制器光开关研究的中期报告本次中期报告主要介绍了关于SOI亚微米尺寸光波导和PIN-MZI型电光调制器光开关研究的最新进展。首先介绍了SOI亚微米尺寸光波导的制备方法，包括SOI芯片清洗、光刻、干法刻蚀等步骤。通过不断优化制备过程，成功地制备了宽度为300nm，高度为220nm的SOI光波导，并对其进行了光学特性测试。结果表明，该光波导具有较低的传输损耗和较高的光耦合效率。接着介绍了PIN-MZI型电光调制器的制备方法，包括PIN结的制备、导电金属的沉积、光刻、干法刻蚀等步骤。通过对不同结构参数的PIN-MZI型电光调制器进行了光学特性测试，研究了其调制深度、带宽等性能指标的影响因素。最后，本次中期报告还介绍了对SOI亚微米尺寸光波导与PIN-MZI型电光调制器的集成的研究工作。通过对集成光学组件进行了光学特性测试和系统性能测试，验证了其在光通信领域中的应用潜力。综上所述，本次中期报告展示了SOI亚微米尺寸光波导和PIN-MZI型电光调制器光开关研究的最新进展，为后续工作的开展提供了基础和指导。