二维自旋轨道耦合系统中自旋霍尔效应以及相关输运性质的研究的中期报告本文旨在对二维自旋轨道耦合系统中自旋霍尔效应以及相关输运性质的研究进行中期报告。该系统中的自旋霍尔效应是指，当存在外加电场时，在样品内部产生一个自旋极化的电流，这种电流只会沿着样品沿垂直于电场方向的边界流动。本文主要关注自旋霍尔效应的理论成果和实验结果两个方面。理论方面，本文阐述了二维自旋轨道耦合系统中自旋霍尔效应的基本原理，包括自旋极化和自旋-轨道耦合等。同时，本文介绍了各种理论模型，如基于扩展Huckel方法的理论模型和基于紧束缚模型的理论模型等。这些模型提供了研究自旋霍尔效应的基础，并为实验结果提供了理论依据。实验方面，本文介绍了各种研究自旋霍尔效应的实验方法和技术。这些方法包括磁阻抗测量，霍尔效应测量和电学输运测量等。实验结果表明，在一些材料中，自旋霍尔效应具有非常强的表现，且具有极高的稳定性。此外，本文还介绍了在二维自旋轨道耦合系统中与自旋霍尔效应相关的一些新进展，例如拓扑绝缘体、拓扑半金属以及拓扑超导体等。这些进展为自旋霍尔效应在材料科学和电子学领域的应用提供了新的可能性。综上所述，本文介绍了二维自旋轨道耦合系统中自旋霍尔效应以及相关的理论成果和实验结果，同时也指出了研究中存在的一些问题和挑战。这些研究结果为自旋电子学和电子物理学等领域的发展提供了重要参考。