AlGaN纳米薄膜结构调控及其场发射性能研究中期报告AlGaN纳米薄膜是一种有着广泛应用前景的新型材料，具有良好的机械、电学和光学性能。本研究旨在通过调控AlGaN纳米薄膜的结构，探究其场发射性能。首先，本研究采用分子束外延法制备AlGaN纳米薄膜，探究不同的生长条件对薄膜形貌和结构的影响。实验结果表明，生长温度、AlN含量和生长时间是影响纳米薄膜形貌和结构的主要因素。随着生长时间的增加，AlGaN纳米薄膜的表面均匀性和结晶度逐渐提高；而在一定的AlN含量范围内，生长温度的升高有利于缩小AlGaN晶粒尺寸，从而提高其场发射性能。其次，本研究通过场发射测试，评价了不同生长条件下制备的AlGaN纳米薄膜的场发射性能。结果表明，当AlN含量为40%、生长温度为800℃、生长时间为30min时，制备的AlGaN纳米薄膜具有较好的场发射性能，其最大场发射电流密度可达到1.4mA/cm^2。综上所述，本研究通过调控AlGaN纳米薄膜的结构，成功地实现了对其场发射性能的提高。未来，我们将进一步优化纳米薄膜生长条件，以获得更好的场发射性能，并探究其在光电子器件中的应用前景。