RRAM存储单元设计的中期报告尊敬的指导老师：您好！我是XXX，本次要向您汇报我所设计的RRAM存储单元的中期报告。一、选题背景随着信息科技的快速发展，存储器的需求也越来越大。作为新型存储器技术的代表，RRAM凭借着它的快速读写速度和高密度存储获得了广泛的关注。二、设计需求1.实现一个4位二进制控制的RRAM存储单元；2.要求可以实现对数据的写入和读取操作；3.具备较高的可靠性和稳定性。三、设计方案1.电路设计本设计采用了RRAM存储单元的经典电路结构，由一对电阻、一对开关和一对平面电极组成。其中，两组电阻分别代表了高电压状态和低电压状态，即“1”和“0”；两组开关用于实现读写操作；两组平面电极用于在两组电阻间形成电场，切换电阻状态。2.尺寸设计基于36nm的工艺尺寸，本设计的RRAM存储单元尺寸为400nmx400nm。这样设计可以在不影响集成度的前提下满足存储单元的可靠性和稳定性要求。3.输电设计为了保证设计的稳定性，本设计采用了纵向输电的方式，即电流的传输方向垂直于平面电极。这种输电方式有助于降低电阻大小和电容大小，从而提高存储单元的响应速度和可靠性。四、预期成果1.成功实现4位二进制控制的RRAM存储单元；2.实现对数据的写入和读取操作；3.在可靠性和稳定性方面取得一定的研究进展。以上是我设计的RRAM存储单元的中期报告，谢谢您的关注！