90nm技术浅槽隔离工艺引入的应力对器件特性影响的研究的开题报告一、研究背景及意义在芯片制造过程中，深槽隔离工艺早已成为一种通用技术。随着制造工艺的不断精进，浅槽隔离工艺逐渐被引入，取代深槽隔离工艺。然而，浅槽隔离工艺在引入时，容易带来应力问题，从而影响器件的特性和可靠性。因此，对浅槽隔离工艺中应力对器件特性的影响进行深入研究，不仅有助于进一步提高工艺稳定性和器件可靠性，也有助于推动半导体器件制造技术的发展。二、研究内容及方法本研究采用实验与模拟相结合的方法，研究浅槽隔离工艺引入后，Si基片上的应力分布情况，并分析应力对器件特性的影响。具体研究内容包括：1.浅槽隔离工艺对Si基片应力分布的影响：通过实验测量和仿真计算，研究浅槽隔离工艺对Si基片应力的影响及应力分布特点。2.应力对器件特性的影响：通过实验测试和仿真计算，研究应力对器件特性的影响，包括漏电流、阈值电压、子阱电容等方面。3.优化浅槽隔离工艺：根据实验和仿真结果，优化浅槽隔离工艺，减小应力对器件特性的影响，提高器件的可靠性和性能。三、预期结果及意义通过上述研究，本文预期可以得到以下几个方面的结果：1.研究浅槽隔离工艺引入后，Si基片应力的分布情况，并分析应力对器件特性的影响；2.发现浅槽隔离工艺中应力对器件特性的影响，探索可能的解决方案；3.最终得到浅槽隔离工艺优化方案，提高半导体器件可靠性和性能，推动半导体器件制造技术的发展，具有重要的实际应用意义。四、论文结构安排本文预计按照以下顺序，撰写论文：第1章绪论介绍本文研究的背景、意义、研究内容及方法、预期结果及意义、论文结构安排等。第2章文献综述综述国内外关于浅槽隔离工艺引入的应力对器件特性影响的研究现状及发展趋势，指出现有研究中存在的问题和不足。第3章浅槽隔离工艺对Si基片应力分布的影响通过实验测量和仿真计算，研究浅槽隔离工艺对Si基片应力的影响及应力分布特点。第4章应力对器件特性的影响通过实验测试和仿真计算，研究应力对器件特性的影响，包括漏电流、阈值电压、子阱电容等方面。第5章浅槽隔离工艺的优化根据实验和仿真结果，优化浅槽隔离工艺，减小应力对器件特性的影响，提高器件的可靠性和性能。第6章结论与展望总结本文的研究结果，指出工艺优化的可能方向及未来研究方向。第7章参考文献对本文所引用的文献进行详细的罗列和注释。