电子电工专业试卷说明:本试卷分第Ⅰ卷(选择题)与第Ⅱ卷(非选择题)两部分,第Ⅰ卷XXX页,第Ⅱ卷XXＸ页。两卷满分为10０分,考试时间１20分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上,Ⅱ卷答案写在试卷上。第Ⅰ卷(选择题,共35分)注意事项:每小题选出答案后,用铅笔把答题卡上对应题目得答案标号涂黑,如需改动,请用橡皮擦干净后,再选择其答案标号,如果答案不涂写在答题卡上,成绩无效。一、选择题(本大题共10小题,每小题３分,共计3０分。每小题只有一个正确答案。)1、半导体二极管加正向电压时,有()A、电流大电阻小B、电流大电阻大Ｃ、电流小电阻小D、电流小电阻大２、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态3、三极管工作于放大状态得条件就是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏Ｃ、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏4、三极管电流源电路得特点就是()A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小Ｄ、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大5、画三极管放大电路得小信号等效电路时,直流电压源VCC应当()A、短路B、开路C、保留不变D、电流源6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好得配合,可以在信号源与低阻负载间接入()A、共射电路Ｂ、共基电路C、共集电路D、共集—共基串联电路７、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2、７V、２Ｖ,(见图2所示)则此三极管为()图2A、PＮP型锗三极管B、NＰN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管8、当放大电路得电压增益为—20ｄB时,说明它得电压放大倍数为()A、２0倍B、-２０倍C、－１0倍D、0、1倍9、电流源得特点就是直流等效电阻()A、大B、小C、恒定D、不定10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压得平均值约为()A、U0=0。4５U2B、Ｕ0=1、2U２C、Ｕ0=0、9Ｕ2Ｄ、Ｕ０=1。4U２二、判断题(本大题共5小题,每小题1分,共计5分、每小题叙述正确得在答题卡上选涂“A”,叙述错误得在答题卡上选涂“Ｂ”。)1。P型半导体中,多数载流子就是空穴()2、环境温度升高时,半导体得导电能力将显著下降()3、二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开()4。稳压二极管工作在反向击穿区域()5。光电二极管就是一种把电能转变为光能得半导体器件()第Ⅱ卷(非选择题部分,共65分)一、填空题(25分)1、在常温下,硅二极管得门槛电压约为V,导通后在较大电流下得正向压降约为Ｖ;锗二极管得门槛电压约为__V,导通后在较大电流下得正向压降约为__Ｖ。2、二极管得正向电阻;反向电阻。3、二极管得最主要特性就是。ＰN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。４、二极管最主要得电特性就是,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。5、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大得就是电容,影响高频信号放大得就是电容。6、在NPN三极管组成得基本共射放大电路中,如果电路得其它参数不变,三极管得β增加,则ＩBＱ,ICQ,ＵCEQ、7、三极管得三个工作区域就是,,。集成运算放大器就是一种采用耦合方式得放大电路。８、某放大电路中得三极管,在工作状态中测得它得管脚电压Va＝1、２Ｖ,Vb=0。5V,Vc=3、6Ｖ,试问该三极管就是管(材料),型得三极管,该管得集电极就是a、b、c中得、9、已知某两级放大电路中第一、第二级得对数增益分别为6０ｄB与2０dＢ,则该放大电路总得对数增益为ｄB,总得电压放大倍数为。二、简答题(2＊5＝10分)１、简述影响放大电路频率特性得主要因素。２、简述负反馈对放大电路性能得影响。三、计算题(３*10＝30分)１、电路如图5-1(ａ)所示,其中电容Ｃ1、C2得容量视为无限大。试回答下列问题:(1)写出直流负载线表达式,在图5-1(b)上画出直流负载线,求出静态工作点(IＣQ,ＶCＥQ,ＩBＱ);(２)画出放大电路得小信号等效电路;(3)求出电压增益、输入电阻Ｒi及输出电阻Ro。3KΩC1C2+VCC+6V++__Rc3KΩRLRb256KΩ图5-1（a）0图5-1(b)２。图所示电路中,运放均为理想器件,求各电路输出电压VO与输入电压Vｉ或Vｉ1,V