:第二章::共基极直流电流放大系数为集电极电流与发射极电流之比基极运输系数ﻩﻩ发射结注入效率发射结复合系数,,均匀:为共发射极直流电流放大系数为基区渡越时间,为基区少数载流子得寿命,为中性基区宽度,分别为发射区与基区杂质浓度。与分别为发射区与基区得电阻率,与分别为发射区与基区得方块电阻ﻩﻩ为基区少数载流子浓度缓变:基区自建电场为梯度因子:结型场效应晶体管:夹断电压:,夹断时所需要加得栅源电压Ｖp=Vbi-ＶＰ0。Vbi为结得接触电势差。Vbｉ＝沟道电导:G0＝2qμn(a-x0)Z/L即：ＶDＳ＝ＶDｓat称为饱与漏源电压VDsaｔ=VＰ０-(Ｖbｉ-VＧS）绝缘栅场效应晶体管ＭＯS结构:零偏导条件下:φmｓ＝φm-φs＝φm-(Ｘ-Eg/2q＋φｆ)＝0φm为金属功函数φｓ为半导体功函数X为半导体得电子亲与势费米势φf=(Ｅs-EＦｓ)／qP型φｆ>0；N型φf<0、电荷面密度Qs=εε0Es耗尽区宽度达到最大值氧化层压降Vox=-Qｓ/ＣoｘCoｘ=εｏx/toｘεox=εrε０Cox为氧化层单位面积电容εｏx为栅氧化层介电常量tｏx为氧化层厚度强反型时得表面势力φsi2=2φfp1、理想MOＳFET得阈值电压:n沟道阈值电压Qｄ=－qNAＸｄmａｘ金属半导体功函数差对VT得影响氧化层及界面电荷对VＴ得影响ID=β[（VGS-ＶT)•ＶDS-V2DS/2）β=WμnCox/LVDS=VＤｓat=VGS－VT饱与漏源电流=(ＶGS-ＶT)2跨导:gm=β(VGS－VT)