LED内量子效率及其DE研究的中期报告LED内量子效率是指LED发光的光子数量与电子注入的总数之间的比率，它是影响LED光电转换效率的重要参数之一。当前的LED技术仍然存在着一些限制，例如有效载流子复合率、载流子捕获损失、非辐射损失等，它们都会降低LED的量子效率。以GaN基蓝光LED为例，当前LED量子效率约为50%~70%，其中主要的损失来自于载流子复合和非辐射复合。因此，提高LED的量子效率对于实现高效率、高亮度、长寿命的LED至关重要。目前，研究者们主要采用两种方法来提高LED的量子效率：一种是通过优化LED内部结构，包括材料、波长、结构等方面的设计，以尽量减少非辐射复合；另一种是通过DNA插入等方式来控制电载流子的滞留时间，从而减少载流子的复合损失。对于LED内量子效率的研究，目前仍然存在许多问题待解决。例如如何减少载流子捕获损失，如何优化LED结构以最大化辐射复合等。因此，未来的研究方向应该是继续深入探究LED内部物理过程，以提高LED的量子效率和延长其寿命。