ITO玻璃电化学微流控芯片制作及低温键合工艺研究的中期报告本研究是关于ITO玻璃电化学微流控芯片制作及其低温键合工艺的探索性研究。本中期报告主要介绍了研究的进展情况，包括芯片制作工艺、低温键合工艺以及性能测试结果。1.芯片制作工艺本研究采用传统的微流控芯片制作工艺，包括光刻、蒸镀和蚀刻等步骤。首先，在ITO玻璃表面进行一次胶层光刻，制作出芯片的结构图案。接着，采用蒸镀技术，在芯片表面蒸镀一层金属薄膜，以增加芯片的导电性。最后，利用微细的蚀刻技术，将金属薄膜和玻璃基板之间的缝隙蚀刻出来，形成微通道结构。2.低温键合工艺在芯片制作完成后，需要将芯片与其他部分进行键合，以形成完整的微流控系统。本研究采用了低温键合工艺，避免了高温对芯片结构的损伤。具体工艺流程包括两个步骤：首先，在芯片和附加部分表面放置一层键合胶，并进行UV曝光固化处理。然后，将芯片和附加部分对准，放入烘箱中进行二次固化，完成键合。3.性能测试结果针对本研究制作的芯片，进行了多项性能测试。实验结果表明，本研究制作的芯片具有较好的电化学性能和流体流动性能。同时，在低温键合后，芯片与附加部分之间的接口具有较高的强度和稳定性。总之，本研究在ITO玻璃电化学微流控芯片制作及低温键合工艺方面取得了一定的进展，为今后的深入研究提供了基础。