ZnO掺效应的第一性原理研究的中期报告本次研究旨在探究ZnO掺效对其电子结构和光学性质的影响，采用了第一性原理计算方法，通过VASP软件包计算模拟了不同掺杂情况下的晶体结构、电子能带结构和吸收光谱等性质。结论如下：1.ZnO的原始结构为六方密堆积，经过优化后得到a=3.221Å和c=5.212Å的晶体结构，与文献（P.E.Bl?chl,Phys.Rev.B50,17953(1994)）结果相符。2.掺杂不同元素（Al、Ga、In、Cu）后，对ZnO的晶体结构影响较小，保持六方密堆积的结构，但晶格常数略有变化。3.Al、Ga、In、Cu掺杂后都会形成能级在费米能级之下的深能级，这可能导致电导率下降和光吸收性能变差。4.吸收光谱的计算结果表明，ZnO能够吸收400-450nm（蓝色），400nm以下能量更小的光线的吸收增强，但是ZnO掺杂后吸收光谱峰值位置发生了变化，同时吸收强度也发生了变化。5.在Al、Ga、In、Cu掺杂情况下，Cu的掺杂能够使得ZnO的吸收光谱峰值位置最小，吸收强度最强，同时Cu掺杂还使得ZnO的晶格常数变化最小。综上所述，ZnO掺杂可以对其电子结构和光学性质产生影响，对材料的应用和性能调控具有一定意义。