LED芯片制作流程报告内容LED芯片结构LED制造过程LED制程工艺外延片制作衬底外延可用LED衬底GaAs衬底大家学习辛苦了，还是要坚持蓝宝石Al2O3衬底SiC衬底Si衬底Si衬底制备流程外延生长P、N极的分离表现为元素掺杂度的不同外延生长方法MOCVD双气流MOCVD生长GaN装置MOCVD外延片绿光外延片管芯制作蒸发光刻划片裂片分拣外延片甩胶：将少许光刻胶滴在外延片上，用匀胶台在高速旋转后形成均匀的胶膜。前烘：使光刻胶的溶剂挥发，用于改善光刻胶与样品表面的粘附性。曝光：用紫外光通过光刻板曝光，曝光的区域发生化学变化。曝光原理图手动曝光机显影后的图形掩膜板显影后的图形蒸发原理图白膜：宽度为16cm,粘性随温度的升.高增加;激光打在蓝宝石衬底上，所用激光为紫外光，波长为355nm。为了更好的把圆片裂开，需要让激光打在管芯轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦在片子上表面，激光的划痕深度尽量在25-30um。蓝膜：宽度22cm倒膜时衬底朝上，有电极的一面朝下。裂片前我们在片子上贴一层玻璃纸，防止裂片时刀对管芯的破坏。把裂片后直径为两英寸的片子扩成三英寸，便于后序的分拣工作测试分拣以上就是LED芯片制作的一般过程，不同厂家的芯片在制程上可能有一些差别