CSNS陶瓷真空盒镀TiN膜的研究的中期报告尊敬的老师和评审专家：本次报告主要介绍CSNS陶瓷真空盒镀TiN膜的中期研究进展情况，报告分为以下几个部分：1.研究背景CSNS（中国散裂中子来源）是中国科学院建设的大科学工程之一，是世界上现存最大的散裂中子源之一。其中陶瓷真空盒是CSNS装置中重要的组成部分，对其性能的要求高于常规真空系统。2.研究目的和意义本研究旨在利用TiN膜镀覆在陶瓷真空盒内表面，提高其表面硬度和耐腐蚀性，从而提高陶瓷真空盒的使用寿命和稳定性，满足长期运行的要求。同时，优化TiN膜的制备工艺，提高膜层质量和工艺可控性。3.研究进展情况目前，我们已经完成了TiN膜的制备和表征工作。采用射频磁控溅射技术，在陶瓷真空盒表面沉积TiN膜，制备过程中控制溅射功率、气体流量、沉积时间等参数。通过扫描电子显微镜（SEM）观察膜层表面形貌和厚度，原子力显微镜（AFM）测量膜层的表面粗糙度和形貌。同时采用X射线衍射仪（XRD）分析了TiN膜的晶体结构。结果显示，利用所制备的TiN膜在陶瓷真空盒表面沉积，可以有效提高陶瓷真空盒的抗腐蚀性和表面硬度。TiN膜的晶格结构为面心立方结构，晶粒尺寸较小，原子排列紧密，与陶瓷基底有很好的结合性，表面较为平整且密度均匀。4.下一步研究计划目前，我们还需要进一步研究TiN膜的加工性能、抗氧化性能和厚度对性能的影响等问题。同时，我们还需要对所制备的TiN膜进行长时间的稳定性测试和真空密封性测试，验证其适用性。最终，我们期望利用所制备的TiN膜，提高CSNS陶瓷真空盒的性能和可靠性，推动CSNS工程建设的进展。5.结束语通过中期研究进展汇报，我们认识到了制备TiN膜对于CSNS陶瓷真空盒的重要性，并完成了膜层制备和表征工作。在之后的研究中，我们将继续深入探究TiN膜的性质和功能，为实现CSNS工程建设提供关键技术支持和贡献。