与半导体相关的磁性材料物性的第一原理研究的中期报告本文介绍了与半导体相关的磁性材料物性的第一原理研究的中期报告。该研究旨在探索磁性材料在半导体器件中的应用，并深入研究其电子结构和磁性质，为材料设计和器件开发提供理论指导。在研究过程中，我们使用第一原理计算方法，即密度泛函理论（DFT）和自洽轨道（SCF）计算，对$FeCl_2$和$FeCl_3$等磁性材料进行了模拟计算，并分析了其电子结构和磁性质。通过计算得到的结果显示，$FeCl_2$和$FeCl_3$都具有磁性，且表现出不同的磁性行为。我们还研究了不同的材料形态，如$FeCl_3$晶格中的单层和多层薄膜，发现其电子结构和磁性质也存在差异。此外，我们还对材料的表面进行了修饰，探讨了表面改性对电子结构和磁性质的影响。例如，在单层$FeCl_3$薄膜的表面上引入硫原子，可以显著改变材料的电子结构和磁性质，从而实现对材料性能的调节。综上所述，本研究对半导体相关的磁性材料物性进行了深入探索，提出了一系列新的材料设计和修饰方案，为半导体器件的开发提供了一定的理论指导和支持。未来研究将进一步探索更多的磁性材料，并进一步深入研究其电子结构和磁性质。