980nmVCSEL的研制及其电路模型的中期报告一、980nmVCSEL的研制进展本次研发工作旨在研制一款波长为980nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)，用于数据传输、激光雷达等领域。在前期工作的基础上，我们完成了以下研制进展：1.VCSEL芯片制备：采用分子束外延(MBE)技术，在GaAs衬底上生长了In0.1Ga0.9As/GaAs多层结构，形成了加宽的Al0.1Ga0.9As/GaAs透镜和15对AlAs/GaAs限制层，最终生长了20个In0.2Ga0.8As/GaAs量子阱(QW)。芯片尺寸为500μm×500μm，每个芯片包含数百万个激光韵腔，以面阵列形式银浆光刻成28×28的圆形氧化铝孔阵列。2.光谱特性测试：使用高分辨光谱仪对芯片进行测试，结果表明激光峰值波长为980.3nm，即目标波长。同时，VCSEL的突破电流为8mA，峰值输出功率为0.6mW。3.VCSEL可靠性测试：对VCSEL进行了长时间恒流老化实验，在80℃下的恒流老化条件下，连续24小时的测试表明，初始输出光功率比老化后下降了不到5%。二、980nmVCSEL的电路模型针对所研制的980nmVCSEL，我们建立了电路模型，以更好地预测和设计其性能。我们采用等效回路模型描述VCSEL器件，该模型包含三个主要的电阻和四个电容元件。该模型能够反映VCSEL器件的动态电特性，如时域响应、传输函数、频率响应等。我们采用SPICE软件仿真该模型，并将其与实际测试数据进行比较。结果表明，该模型能够较好地预测和描述VCSEL的电特性，如电压-电流曲线、光-电转换效率、脉冲响应等。三、下一步计划目前，我们已经完成了VCSEL芯片制备和性能测试，并建立了电路模型。下一步计划是进一步完善VCSEL性能测试，并对其在数据传输、激光雷达等领域的应用进行研究和开发。同时，还计划继续优化制备工艺，提高VCSEL的性能和可靠性。