一、名称：霍尔效应的应用二、目的：1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2．测绘霍尔元件的V—Is，V—I曲线，了解霍尔电势差V与霍尔元件工HHMH作电流Is，磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。三、器材：1、实验仪：（1）电磁铁。（2）样品和样品架。（3）Is和I换向开关及V、V切换开关。MHó2、测试仪：（1）两组恒流源。（2）直流数字电压表。四、原理：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场E。H如图15-1所示的半导体试样，若在X方向通以电流I，在Z方向加磁场B，则在SY方向即试样A-A/电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的N型试样，霍尔电场逆Y方向，（b）的P型试样则沿Y方向。即有E(Y)0(N型)HE(Y)0(P型)H显然，霍尔电场E是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场H力eE与洛仑兹力evB相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故HeEevB（1）H其中E为霍尔电场，v是载流子在电流方向上的平均漂移速度。H设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n，则Inevbd（2）S1IBIB由（1）、（2）两式可得：VEbSRS(3)HHnedHd即霍尔电压V（A、A／电极之间的电压）与IB乘积成正比与试样厚度d成HS1反比。比例系数R称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。Hne只要测出V（伏）以及知道I（安）、B（高斯）和d（厘米）可按下式计算RHSHVd（厘米3／库仑）：R＝H108（4）HIBS上式中的108是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯）而其它各量均采用CGS实用单位而引入。由于产生霍尔效应的同时，伴随多种副效应，以致实测的霍尔电场间电压不等于真实的V值，因此必需设法消除。根据副效应产生的机理，采用电流和H磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。具体的做法是Is和B（即IM）的大小不变，并在设定电流和磁场的正反方向后，依次测量由下面四组不同方向的Is和B（即IM）时的V1，V2，V3，V4，1）+Is+BV12）+Is-BV23）-Is-BV34）-Is+BV4VVVVV1234然后求它们的代数平均值，可得：H4通过对称测量法求得的VH误差很小。另一方面，射载流子浓度为n,薄片厚度为d,则电流强度I与u的关系为：1IB1IBIbdnqu……(5)，则可得到V……(6)，令R，则VR……BBnqdnqBBd(7)，R称为霍尔系数，它体现了材料的霍尔效应大小。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。在应用中，(6)常以如下形式出现：VKIB……(8)，式中R1称BBHKHdnqd为霍尔元件灵敏度，I称为控制电流。，即可算出磁场B的大小；并可见，若I、KH已知，只要测出霍尔电压VBB’且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子，P型半导体多数载流子为空穴),则由VBB’的正负可测出磁场方向，反之，若已知磁场方向，则可判断载流子类型。由于霍尔效应建立所需时间很短(10-12~10-14s),因此霍尔元件使用交流电或者直流电都可。指示交流电时，得到的霍尔电压也是交变的，I和VBB’应理解为有效值。五、步骤：1、测量霍耳电压V与工作电流I的关系。HS①对测试仪进行调零。将测试仪的“I调节”和“I调节”旋钮均置零位，SM待开机数分钟后若V显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位H器实现调零，即“0.00”。②测绘V-I曲线。将实验仪的“V，V”切换开关投向V侧，测试仪的HSHH“功能切换”置V，保持I值不变（取I=0.6A），绘制V-I曲线。HMMHS2、测量霍耳电压V与工作电流I的关系。HM实验仪与测试仪各开关位置同上。保持半导体的电流I不变（取SI=300mA），绘制V-I曲线。SHM3、测量V值。将切换开关“V，V”投向V侧，“功能切换”置V。在零H磁场下，取I=2.00mA，测量V。S4、确定样品的导电类型。将实验仪三组双刀开关均投向上方，即I沿X方向，SB沿Z方向。毫伏表测量电压为VAA。取I=2