ZnTe一维纳米结构的制备、表征及电学特性的中期报告根据研究计划，我们在过去的几个月中主要聚焦于ZnTe一维纳米结构的制备、表征及电学特性研究。现将中期报告如下：制备：我们使用了分子束外延（MBE）技术制备了一系列ZnTe纳米线。通过控制生长条件，我们成功地制备出了均匀分布的ZnTe纳米线阵列。在生长过程中，我们通过改变衬底温度和ZnTe沉积速度来调节纳米线的直径和间距。表征：通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察到的结果显示，制备出的纳米线长度大约在200-500nm之间，直径在50-100nm之间。X射线衍射（XRD）显示了ZnTe的独特晶体结构。电学特性：通过对制备的ZnTe纳米线样品进行电学特性测试，我们发现纳米线的电阻率随温度的变化呈现出了先升后降的特性，这表明ZnTe纳米线的导电性可能受到了热激发载流子的影响。下一步工作：在接下来的研究中，我们计划继续探究ZnTe纳米线的电学性质，包括晶格结构、带隙、载流子传输以及光电化学性质等方面。同时，我们也将尝试进一步优化制备工艺，以获得更高质量的ZnTe一维纳米结构材料。