会计学反型层在漏源之间的导电通道(tōngdào)，称为沟道。由于沿着垂直沟道方向上电子浓度不同，电导率不同。平均电导率表示为：沟道(ɡōudào)电导为：MOSFET阈值电压(diànyā)VTH是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压(diànyā)。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(如50μA)时的栅源电压(diànyā)为阈值电压(diànyā)。从使用角度讲，希望阈值电压(diànyā)VTH小一些好。阈值电压(diànyā)是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压(diànyā)，因此，它是MOSFET的非常重要参数。VG>VTH，才出现负的感应沟道(ɡōudào)电荷QI，则有阈值电压：三、实际(shíjì)MOS的C-V特性和阈值电压由于(yóuyú)金属-半导体功函数差导致空间电荷区能带向下弯曲使能带平直(pínꞬzhí)，需在金属电极上加一负电压：根据上图，可得硅的修正(xiūzhèng)功函数：由于接触电势差的出现，使得平带状况所对应的外加偏压VG=0改变为VG=VG1。外加偏压VG的一部分VG1用于使能带平直(pínɡzhí)，另一部分VG-VG1起到理想MOS系统的作用。实际系统的电容C作为VG-VG1的函数，与理想MOS系统的电容C作为VG的函数，在形式上是一样的。2、界面陷阱和氧化物电荷(diànhè)的影响界面陷阱电荷Qit，归功于Si-SiO2界面性质，并取决于界面的化学成分；在Si-SiO2界面上的陷阱，其能级(néngjí)位于硅禁带之内。界面态密度(单位面积陷阱数)和晶面取向有关。在(100)面界面态密度比(111)面的约少一个数量级，对于硅(100)面，Qit很低，约1010cm-2，即大约105个表面原子才有一个界面陷阱电荷，对于硅(111)面，Qit约为1011cm-2。氧比物固定电荷Qf位于Si-SiO2界面约3nm的范围内，这些电荷是固定的，在表面势大幅度变化时，它们不能充放电。Qf通常是正的，并和氧化、退火条件以及Si的晶面取向有关，经过仔细处理的Si-SiO2系统，(100)面的氧化层固定电荷密度的典型值为1010cm-2，(111)面的为5×1010cm-2。因为(100)面的Qit和Qf较低，故硅MOSFET一般(yībān)采用(100)晶面氧比物陷阱电荷Qot和二氧化硅缺陷有关(yǒuguān)。这些陷阱分布在二氧比硅层内；和工艺过程有关(yǒuguān)Qot大都可以通过低温退火来消除。可动离子电荷Qm(诸如钠离子和其他碱金属离子)在高温和高压下工作时，它们能在氧化层内移动；半导体器件在高偏置电压和高温条件下工作时的可靠性问题可能(kěnéng)和微量的碱金属离子沾污有关。在高偏置电压和高温条件下，可动离子随着偏置条件的不同可以在氧化层内来回移动，引起C-V曲线沿电压轴移动。因此，在器件制造过程中要特别注意可动离子沾污问题。（2）电荷对平带电压(diànyā)的影响显然(xiǎnrán)，有：图6-13氧化层内薄层(báocénꞬ)电荷的影响图6-13氧化(yǎnghuà)层内薄层电荷的影响如果氧化层中正电荷(diànhè)连续分布，电荷(diànhè)体密度为ρ(x)，则有：同理，如果已知氧化层内陷阱(xiànjǐng)电荷的体密度ρot(x)和可动离子电荷体密度ρm(x)，则可以得到Qot和Qm，以及它们各自对平带电压的影响：取x=x0实际阈值电压影响(yǐngxiǎng)因素：4、实际MOS电容(diànróng)的C-V特性曲线内容(nèiróng)总结