Si(111)衬底上Co低维磁性纳米结构的制备及磁性研究的开题报告一、研究背景与意义纳米材料作为一种尺度效应明显的新型材料，具有分子量小、表面积大、量子效应、尺寸可调、特殊的物理化学性质等优越性能，已经广泛应用到很多领域中，例如能源、生命科学、信息和传感技术等领域。在这些领域中，磁性纳米结构尤为重要，具有很强的潜在应用前景，在信息存储、生物医学等方面应用广泛。目前，磁性纳米结构的制备方法十分多样化，其中，利用化学合成方法制备的纳米结构具有结构可控、工艺简便等优点，因此得到了广泛的研究。同时，研究如何将这些制备出的迷你结构应用到器件中，便是近年来人们关注的一个重要问题。二、研究目的与内容本文选取了Si(111)衬底上的Co纳米结构作为研究对象，旨在通过对该结构的制备及磁性研究，探究其在信息存储方面的应用。具体研究内容包括以下方面：1.利用化学合成方法制备Co纳米线阵列；2.对制备出的Co纳米线阵列进行表征，包括形貌、晶体结构、元素组成等分析；3.对Co纳米线阵列进行磁性测量，并探究其磁性行为的规律。三、研究方法本研究将采用化学合成法制备Co纳米线阵列。主要步骤如下：1.制备刻有Si(111)晶面的衬底；2.利用热蒸发法在衬底上沉积Co薄膜；3.在Co薄膜上通过阳极氧化方法制备出Co纳米线阵列；4.对制备出的Co纳米线阵列进行表征和磁性测量。四、研究预期结果通过本研究，预期可以制备出结晶度好、形貌较为均一的Co纳米线阵列，并对其进行表征和磁性测量，深入掌握其磁性行为规律。同时，也预期可以探究Co纳米线阵列在信息存储方面的应用潜力，为其在理论、实践方面提供理论基础和实验基础。