利用天然氧化层掩模的真空紫外硅闪耀光栅的湿法刻蚀制作的中期报告本中期报告旨在介绍利用天然氧化层掩模的真空紫外硅闪耀光栅的湿法刻蚀制作的进展情况。首先，我们成功制备了厚度为100nm的自然氧化硅层。这一步骤非常关键，因为它确定了后续的光刻图形形状和大小。然后，我们使用真空紫外光刻技术，将样品暴露在紫外光下，将紫外光固化在自然氧化层上，形成所需的光刻图形。我们选择了正方形光刻图案，并使用了接触式光刻技术，以提高图形的分辨率和清晰度。接下来，我们使用湿法刻蚀技术，在硅晶片上形成了光栅结构。我们使用了一种含有氢氟酸（HF）的溶液进行刻蚀，以在自然氧化层下形成阶梯形的光栅结构。最后，我们进行了表征测试，发现制作的湿法刻蚀光栅结构的周期和深度与设计值非常接近。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜的观察，我们还确定了光栅结构的表面质量和平滑度。总之，利用天然氧化层掩模的真空紫外硅闪耀光栅的湿法刻蚀制作是一种有效的方法，可以制造出高质量和高精度的光栅结构。接下来，我们将进一步完善制作工艺，并进行进一步的应用研究。