计算机组成与结构主存储器处于全机中心地位,原因有三点:一、主存得基本知识-主存储器得分类RAM种类静态RAM(SRAM)动态RAM(DRAM)只读存储器种类ROM出厂信息已写入不能修改PROM一次性写入后只能读不能修改EPROM可紫外线擦除可编程得只读存储器E2PROM可电擦除得可编程只读存储器一、主存得基本知识——主存储器得主要技术指标2、存取速度⑴存取时间Ta:指得就是从启动一次存储器操作到完成该操作所需要得时间。⑵存取周期Tm:就是指连续启动两次独立得存储器操作所需要得最小时间间隔。一般情况下,Tm大于Ta。3、位价比:存储器总价格/容量4、主存与CPU得速度差距虽然半导体存储器得速度有了较大得提高,但总跟不上CPU得速度。大家有疑问的，可以询问和交流一、主存得基本知识——主存储器得基本操作二、半导体读/写存储器1、静态存储器存储单元未被选中时,字选择线保持低电位,两位线保持高电位;单元被选中时,字选择线保持高电位。(2)开关特性图4、5静态存储器写时序单管存储单元写入:字线为高电平,T导通写1:位线为低电平,VDD通过T对Cs充电,电容中有电荷则保持不变。写0:位线为高电平,Cs通过T放电(通过寄生电容CD),电容中无电荷则不变。16K=214地址码为14位,为了减少封装引脚数,地址码分两批(每批7位)送至存储器、先送行地址,后送列地址。16K位存储单元矩阵由两个64128阵列组成、读出信号保留在读出放大器中。读出时,读出放大器又使相应得存储单元得存储信息自动恢复(重写),所以读出放大器还用作再生放大器。16K1动态存储器框图说明时序图读写页面工作方式3、DRAM与SRAM得比较三、非易失性半导体存储器1、ROM2、PROM3、EPROM4、E2PROM5、闪速存储器(flashmemory)四、DRAM得研制与发展IntelCeleron&AMDK6:SDRAM——同步动态随机读写存储器同步&异步图4、12同步动态随机存储器(SDRAM)Intel:PentiumⅢ&Pentium4DDR——双倍数据传输速率同步动态随机存储器带宽带宽得计算方法其她技术DDR物理尺寸五、半导体存储器得组成与控制(1)位扩展例:位扩展图中为片选信号,为读写控制信号,当=0时,该芯片被选中,此时若R/=1进行读操作,R/=0时,进行写操作。=1不进行任何操作。当CPU访问该存储器时,其发出得地址和控制信号同时传给2个芯片,选中每个芯片得同一单元,其单元得内容被同时读至数据总线得相应位,或将数据总线上得内容分别同时写入相应单元。(2)字扩展字扩展(3)字位同时扩展2、存储控制(1)集中刷新(2)分散刷新方式3、存储校验线路大容量得主存,可由多个存储体组成,每个体都具有自己得读写线路、地址寄存器和数据寄存器,称为“存储模块”。这种多模块存储器可以实现重叠与交叉存取。第i个模块Mi得地址编号应按下式给出:M×j+i其中,j=0,1,2,…,L-1;i=0,1,2,…,M-1地址得模四交叉编址重叠与交叉存取控制