6HSiC单晶电参数的红外光谱研究的中期报告目前，我们已经完成了对6HSiC单晶电参数的红外光谱研究的中期实验、数据处理和分析，并撰写了中期报告。研究中使用的6H-SiC单晶是通过Lely法生长得到的，其质量良好、表面光洁度高。我们采用了自行搭建的四探针测量系统对其电参数进行了测试，并使用Fourier变换红外光谱仪记录了其红外光谱。我们观察到6HSiC单晶的电导率在不同温度下呈现出明显的正比关系，并且在低温下呈现出指数增长的趋势。这与其半导体特性相符合。同时，我们发现其电导率与掺杂源浓度之间呈现出线性关系。这使得我们能够通过调整掺杂源浓度来精确控制6HSiC单晶的电导率，为其应用提供了更多的可能性。我们也对6HSiC单晶的红外光谱进行了分析。通过对比实验数据和文献中的红外光谱谱线，我们成功地鉴定出了6HSiC单晶中存在的一些化学键，比如Si-C键、C-H键等。我们也发现在一定波数范围内，6HSiC单晶中的红外吸收强度与掺杂源浓度呈现出正比关系，这为通过红外光谱技术来定量检测掺杂源浓度提供了一种新的途径。总之，我们的实验结果表明，6HSiC单晶可以通过调整掺杂源浓度来精确控制其电导率，并且可以通过红外光谱技术来定量检测其掺杂源浓度。这些研究结果具有一定的理论意义和应用价值。