会计学PCB与ICIC集成电路内部构成(gòuchéng)与工作原理2、半导体材料(cáiliào)单质硅材料导电(dǎodiàn)能力很弱，必须在其中选择性的加入少量杂质材料，提供更多自由电子。引入杂质的过程称为掺杂；掺杂不同杂质，得到的半导体材料分为N型和P型材料。N型材料使用Ⅴ族元素为掺杂杂质，杂质的五个价电子中，四个与周围的硅结合成共价键，多余的一个价电子成为(chéngwéi)自由电子，参与导电。/P型材料使用Ⅲ族元素为掺杂杂质，杂质的价电子与周围三个硅原子的电子结合成共价键，缺少一个形成(xíngchéng)共价键的电子，出现电子的空位，成为“空穴”。3、PN结/4、场效应与半导体开关(kāiguān)例如在P型半导体附近施加正电压，电压吸引(xīyǐn)半导体内的电子并形成积累。当电子积累到一定程度，P型半导体内局部变为N型，被称为反型。场效应晶体管（FET）栅极负责(fùzé)施加控制电压根据(gēnjù)源极、漏极掺杂类型的不同，MOS管分为NMOS和PMOS两种。衬底接触(jiēchù)电路(diànlù)符号（a）NMOS（b）PMOS（a）NMOS（b）PMOSCMOS逻辑电路(luójídiànlù)MOS管反型导通条件(tiáojiàn)反相器（非门）与非门或非门先在硅表面制作一层二氧化硅；然后通过光刻，在二氧化硅上需要扩散掺入杂质的区域(qūyù)开设窗口；最后完成掺杂和金属化等工序，完成芯片的制造。定义(dìngyì)版图栅极负责施加(shījiā)控制电压MOS管中电流(diànliú)由源极流向漏极。沟道中电流(diànliú)流过的距离为沟道长度；截面尺寸为沟道宽度。设计中，常以宽度和长度值的比例式即宽长比（W/L）表示器件尺寸(chǐcun)。例：假设一MOS管，尺寸(chǐcun)参数为20/5。则在版图上应如何标注其尺寸(chǐcun)。感谢您的观看(guānkàn)。