Si基GaAs异变外延及Si基InAs量子点的研究中期报告本项目旨在研究Si基GaAs异变外延技术及Si基InAs量子点结构的制备方法，并对其物理性质进行表征和分析。在研究Si基GaAs异变外延技术方面，我们采用了分子束外延（MBE）技术，成功地在Si衬底上生长了厚度为2μm的GaAs异变外延层，并通过X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）等手段对其结构特性进行了分析。结果表明，GaAs异变外延层具有良好的结晶质量和界面匹配性，为后续的器件制备提供了良好的基础。在研究Si基InAs量子点结构的制备方法方面，我们采用了原子层沉积（ALD）和分子束外延（MBE）相结合的方法，成功地制备了具有高密度、均匀分布和较小尺寸的InAs量子点结构。同时，我们还对其光学性质进行了分析，通过荧光光谱和时间分辨荧光光谱等手段对其荧光性质进行了研究。结果表明，制备的InAs量子点结构表现出较好的荧光特性，具有潜在的应用价值。总体上来说，本项目的研究取得了初步进展，为进一步研究Si基量子点结构的制备和应用提供了基础。