GaN-MOCVD系统反应室的CFD模拟研究的任务书任务名称：GaN-MOCVD系统反应室的CFD模拟研究任务背景：氮化镓金属有机气相外延（GaN-MOCVD）技术是一种制备GaN单晶薄膜的重要方法，被广泛应用于LED和光电器件等领域。反应室是GaN-MOCVD系统的核心部件，影响着GaN薄膜的质量和生长速率。因此，对GaN-MOCVD系统反应室进行CFD模拟研究，对于了解反应室内的物流和热流分布规律、优化反应室结构和工艺参数具有非常重要的意义。任务目的：1.建立GaN-MOCVD系统反应室的CFD模型2.分析反应室内气体流动、温度场和压力场的分布规律3.了解反应室内GaN生长过程的关键物理化学参数4.优化反应室的结构和工艺参数，提高GaN薄膜的品质与生长速率任务内容：阶段一：文献调研和总体设计1.调研GaN-MOCVD技术的理论基础和应用现状2.了解反应室结构和工艺参数的设计和优化方法3.建立反应室CFD模型的总体设计方案阶段二：CFD模型建立和仿真计算1.建立GaN-MOCVD系统反应室的3D几何模型2.制定边界条件和物理条件参数3.运用CFD软件对反应室内气体流动、温度场和压力场进行仿真计算4.对不同工艺参数下反应室内GaN生长过程的物理化学参数进行计算分析阶段三：结果分析和优化措施提出1.分析仿真计算结果，探究反应室内物理化学过程的规律2.针对仿真计算结果提出反应室结构和工艺参数的优化措施3.对优化方案进行仿真模拟，评估方案的可行性和效果。4.撰写任务报告，总结研究成果，提出下一步研究方向。任务交付成果：1.GAN-MOCVD系统反应室的CFD模型和仿真计算结果；2.反应室内物理化学关键参数（如生长速率、压力分布、扩散性能等）的分析结果；3.反应室结构和工艺参数的优化方案；4.任务报告，包括任务背景、目的、内容、方法、结果和结论等。