VDMOS性能退化试验及接触热阻的研究的开题报告I.研究背景VDMOS是一种常用的功率MOSFET器件，具有低电阻、高输入阻抗、快速开关等优点，广泛应用于电力电子器件中。然而，VDMOS器件在工作过程中会受到温度、电场、电流等因素的影响，导致其中的部分结构和性能出现退化，严重影响器件的可靠性和寿命。因此，对VDMOS器件性能退化的原因、机制和特征进行深入研究，对于提高其可靠性具有重要的意义。II.研究内容本次研究将围绕VDMOS器件的性能退化及接触热阻的影响展开，主要研究内容如下：1.VDMOS器件性能退化试验采用恒流工作方式和高温逆偏压工作方式，对VDMOS器件的关键性能指标进行测试，如漏电流、截止电压、漏电流温度系数等。通过比较不同工作状态下的性能数据，分析VDMOS器件退化特征及其机制。2.接触热阻的研究在高功率应用中，VDMOS器件的温度升高会导致接触热阻变化，从而影响器件的稳定性和可靠性。通过实验测量VDMOS器件的接触热阻随着温度的变化情况，并研究其对器件性能的影响，以此提高VDMOS器件的散热效率。III.研究方法本次研究采用实验方法结合理论分析。首先，通过实验测试VDMOS器件的性能特征及其退化特征，在此基础上，运用现代半导体器件物理学、电力电子学以及多物理场有限元分析等理论分析方法，分析VDMOS器件退化的原因及其机制，并提出相关改进措施。同时，通过实验测量VDMOS器件的接触热阻值，并进行分析和计算，优化器件的散热设计。IV.研究意义本次研究的意义主要体现在以下两个方面：1.对于提高VDMOS器件的可靠性和稳定性具有重要的意义。研究VDMOS器件的性能退化机制，可以为其设计和制造提供实用的指导，并为未来VDMOS器件的发展提供有价值的参考。2.对于理论和实践方面都有重要意义。本研究通过实验和理论相结合的方法，对半导体器件的材料、结构、性能与热效应等方面开展深入研究，为半导体器件的应用和设计提供了宝贵的经验和理论指导。