CdSeZnSe量子阱复合结构的发光研究的中期报告【Abstract】:本报告的目的是介绍我们研究的CdSeZnSe量子阱复合结构的发光性质。通过制备CdSe/ZnSe量子阱样品，我们进行了光致发光、时间相关光谱、温度依赖性等多种实验，并对实验结果进行了分析。【Introduction】:CdSeZnSe量子阱复合结构的发光研究是半导体量子光电子学领域中的一个热门研究方向。CdSeZnSe量子阱结构的设计和制备是通过调整CdSe和ZnSe的厚度来控制其电子和空穴能级的分布，从而实现光电子学器件中的能级匹配和能量传递过程的控制。CdSeZnSe量子阱结构在固态激光器、光电探测器、太阳能电池等方面有着广阔的研究和应用前景。【ExperimentalDetails】:我们采用分子束外延法（MBE）生长了CdSe/ZnSe量子阱结构样品，并进行了多种发光研究。我们使用了光致发光（PL）、时间相关光谱（TRPL）以及温度依赖性实验等方法。通过制备不同CdSe/ZnSe量子阱结构样品，我们分别对比了不同厚度、不同浓度和不同组成的CdSe/ZnSe量子阱的发光性质。【ResultsandAnalysis】:通过对实验结果的分析，我们发现CdSe/ZnSe量子阱结构样品的发光峰主要集中在500-550nm区域，这与其能带结构时空限制有关。我们还发现，CdSe/ZnSe量子阱结构样品的发光峰位置和强度取决于其CdSe和ZnSe的厚度、浓度和组成比。我们进一步通过TRPL实验，研究了样品的激子寿命和光学性质。我们还发现，样品的发光性质随温度的升高而有所改变。【Conclusion】:综上所述，我们成功制备了CdSe/ZnSe量子阱结构样品，并对其发光性质进行了多方面研究。我们发现CdSe/ZnSe量子阱结构样品的发光性质受其厚度、浓度和组成比的影响，同时其发光性质随温度的变化而改变。我们的研究有望为CdSeZnSe量子阱结构的设计和制备提供一定的参考，同时也为其在半导体量子光电子学和器件应用方面的研究提供了基础数据。