InAs/GaSb超晶格及量子点材料生长研究的开题报告【摘要】InAs/GaSb超晶格及量子点材料结构具有优异的电学和光学性能，是研究者们近年来关注的热点领域。本文将关注InAs/GaSb超晶格及量子点材料的生长及其性质研究。本研究的主要研究内容包括：1）优化InAs/GaSb超晶格及量子点的生长工艺，探究不同生长条件对材料结构性质的影响；2）利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等分析手段，对生长结构进行形貌表征和微观结构分析；3）对生长得到的材料进行电学和光学性能测试，探究其电学和光学性能特点。【关键词】InAs/GaSb超晶格；量子点；生长；性质【Abstract】InAs/GaSbsuperlatticeandquantumdotmaterialshaveexcellentelectricalandopticalpropertiesandhavebecomeahottopicinrecentyears.ThispaperwillfocusonthegrowthandpropertiesofInAs/GaSbsuperlatticeandquantumdotmaterials.Themainresearchcontentofthisstudyincludes:1)optimizethegrowthprocessofInAs/GaSbsuperlatticeandquantumdots,exploretheinfluenceofdifferentgrowthconditionsonthestructuralpropertiesofmaterials;2)useX-raydiffraction(XRD),scanningelectronmicroscopy(SEM),transmissionelectronmicroscopy(TEM)andotheranalysismethodstocharacterizethemorphologyandmicrostructureofthegrowthstructure;3)conductelectricalandopticalpropertytestsonthegrownmaterialstoexploretheirelectricalandopticalproperties.【Keywords】InAs/GaSbsuperlattice;quantumdots;growth;property