MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究的中期报告碲镉汞（HgCdTe）是一种重要的红外材料，具有非常广阔的应用前景。其中，薄膜结构的HgCdTe材料是具有优异性能的重要材料之一。本研究采用金属有机气相沉积（MOVPE）法生长HgCdTe薄膜材料，并对其生长过程及其材料性能进行了研究。一、生长HgCdTe薄膜材料的实验条件本研究采用水银（Hg）、镉（Cd）和碲（Te）的金属有机气相沉积（MOVPE）法生长HgCdTe薄膜材料。实验采用石墨炉进行加热，并使用氢气（H2）作为载气气流。实验中，Hg使用TMGH，Cd使用TMCD，Te使用DMTT作为前驱体化学品。实验的温度范围为300℃～360℃，气体的流动速度为300sccm。二、HgCdTe薄膜的结构与性能分析该实验所生长的HgCdTe薄膜具有非常良好的晶体结构，其X射线衍射图像中可以清晰地看到合金的晶格衍射峰。此外，该薄膜的红外光谱图像显示出它具有非常优良的吸收边缘，表明该HgCdTe薄膜具有非常良好的光电转换性能。通过扫描电镜（SEM）观察HgCdTe薄膜的表面形貌，可以发现它具有非常光滑、均匀的表面形貌，这对于光电器件的制备是非常有利的。此外，该实验合成的薄膜的电学性质也非常优异，其导电率和载流子浓度分别为3.5×10^3S/m和3.5×10^16cm^-3。三、总结本研究采用金属有机气相沉积（MOVPE）法成功合成了高品质的HgCdTe薄膜材料，并对其进行了详细的结构性能分析。实验结果表明，该方法能够制备出具有良好光电性能的HgCdTe薄膜，并具有非常广阔的应用前景。