第一章现代电源技术概述1－1现代电源技术的现状与发展现状：先进的电路技术－PFC技术，同步整流技术，软开关技术高频磁技术，均流技术，DC/DC技术先进的半导体技术－PIC器件，模块(mókuài)器件水平：效率－高达93％稳压精度－0。5功率因数－单相0。97－0。999噪声电压－宽频噪声，衡重噪声发展方向：高效率，小型化，集成化，智能化高可靠性1-1-1功率半导体技术新进展功率开关器件发展阶段50年代60年代70年代80年代90年代可控硅SCR快速晶闸管可关断晶闸管GTO1高压GTO大容量大功率高性能（晶闸管）2IGCT省吸收与IGBT结合3MCT优势互补（MOS晶闸管）电力晶体管GTR1IGBT1高速IGBT2功率MOSFET2低电荷功率MOSFET功率二极管的发展PIN功率二极管SBD肖特基势垒功率二极管耐高压，大电流，极高的开关频率低泄漏电流低导通损耗(sǔnhào)开关频率不高不适于高电压大电流的应用POWER-IC器件的发展PWM/MOSFET二合一IC集功率开关，控制电路，保护电路与一体，性价比较高。TOPSwich系列二合一功率ICTOP220,TOP230,TOP250,仙童公司5L系列03801M系列0880广泛应用于小家电，通讯设备等IGBT功率模块复合功率模块PIM智能功率模块IPM电力模块IPEM电力电子模块PEEB水平1200－1800A600A1800-3300V2000V1-1-2电源领域技术新进展功率因数校正（PFC）技术PFC的概念起源于1980年，重视和推广在80年代末，主要制定了IEC555-－2，IEC1000-3-2使得研究PFC术研究成为电源界热点现在关注：一是二级PFC技术，二是单级PFC技术同步整流技术同步整流的概念：当输出为低电压大电流时整流损耗成为功率变换器主要损耗所以提出采用低导通电阻的MOSFET进行整流。同步整流－是通过控制MOSFET的驱动电路来利用功率MOSFET实现整流功能的技术发展：同步整流技术出现得较早，但早期的技术很难转换为产品，这是由于当时驱动技术不成熟，可靠性不高。经过几年的发展，同步整流技术已经成熟。由于开发成本的原因，目前只在技术含量较高的开关电源模块(mókuài)中得到应用。优势：同步整流技术提高了电源效率，它同时给电源模块(mókuài)带来了许多新的进步。同步整流技术符合高效节能的要求，适应新一代芯片电压的要求，有着非常广阔的应用前景。但目前只有较少的公司掌握了该项技术，并且实现的成本也很高，而且还有很多应用领域未得到开拓。随着用于同步整流的MOSFET批量投入市场，专用驱动芯片的出现，以及控制技术的不断完善，同步整流技术将成为一种主流电源技术，逐步应用于广泛的工业生产领域。软开关技术软开关技术的概念：是利用电容于电感谐振使得开关器件中电流（电压）按正弦或准正弦规律变化。当电流过另时，器件关断；当电压过另时，器件开通，实现开关损耗为另软开关技术：可分为1，PFM2,PWM3,PS方式发展动态：自20世纪80年代(niándài)中期起，采用PWM控制技术的高功率密度DC/DC变换器模块走进了世界市场。如今，已广泛应用在各种领域中。1997年，在已经行了将近30年的世界范围的软开关基础理论研究之后，美国Vicor开关电源公司最先推出了VI－300系列软开关高密度DC/DC产品。第二代产品是以Vicor公司有专利权的零电流开关（ZCS）和零电压开关（ZVS）软开关控制技术为基础，结合了控制集成、封装、铁氧体、噪音和散热技术等方面的最新成果，产品达到了与理想功率器件极为接近的境地。第二代产品与第一代产品相比，功率密度增加了两倍，即为120W/in3。第二代产品的出现预示着它们将是DC/DC变换器未来的主流产品。DC/DC技术研究热点：低电压大电流单端反激式变换器简图2-2-3功率变换电路2.2.3.2单端正激式变换电路1.基本工作原理Q1导通时，D1导通，电路向负载RL输送能量，同时输出滤波电感L0储存能量；Q1截止时，电感L0储存能量通过续流二极管D2向负载释放2.电路特点a.导通时输入馈电给负载，截止时Ｌ供电给负载；b.N3起到去磁复位功能外，同时，与二极管D3一起组成箍位电路防止Q1截止期间及瞬态过程中高频变压器漏感引起电压尖峰叠加在Q1上；c.若去磁绕组与原边绕组匝数相等，并保持紧耦合，Q1承受的电压最大为2E设计中注意原则：由于高频变压器工作在磁滞回线的一侧，必须遵守磁通复位原则，即导通脉宽不能超出周期的一半。双管正激并联电路具有输出功率