集成电路(jíchéng-diànlù)中元器件主要(zhǔyào)内容一、集成(jíchénɡ)电容概念1.多晶硅—扩散(kuòsàn)区电容2.多晶硅—多晶硅电容(diànróng)3.MOS电容—栅极(shānjí)与沟道之间的电容Cch4.“夹心(jiāxīn)”电容5.MOS管的极间电容和寄生电容二、集成(jíchénɡ)电阻概念1.方块(fānɡkuài)电阻的概念常用材料(cáiliào)的方块阻值2.多晶硅电阻(diànzǔ)3.N-P阱电阻(diànzǔ)4.MOS管电阻(diànzǔ)5.导线(dǎoxiàn)电阻6.拐弯电阻(diànzǔ)计算三、连线(liánxiàn)概念上图为连线的寄生模型，图中R为串联寄生电阻，C为并联寄生电容。连线越长，寄生参数也越大对于(duìyú)不同材料的连线，其串联寄生电阻大小也有所不同。对应不同材料连线的方块电阻分别为：连线上的寄生参数将对电路性能(xìngnéng)产生影响，如：电源线上的寄生电阻会带来电源电压的衰减；信号线上的寄生电阻和寄生电容将带来信号延迟；导线互相平行或不同层导线交叉时，将带来相互串扰。课后作业(zuòyè)3.已知材料的方块(fānɡkuài)阻值为30Ω/口，其宽度W=1um，若要得到R=1kΩ，试问材料的长度L=？感谢您的观看(guānkàn)。