期末测试题一一、单项选择题（每题1分，共15分）1、金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化D、外接导线的变化2、不能用涡流式传感器进行测量的是（）。A、位移B、材质鉴别C、探伤D、非金属材料3、不能采用非接触方式测量的传感器是：（）。A、霍尔传感器B、光电传感器C、热电偶D、涡流传感器4、通常所说的传感器核心组成部分是指：（）A、敏感元件和传感元件B、敏感元件和转换元件C、转换元件和调理电路D、敏感元件、调理电路和电源5、下列四种光电元件中，基于外光电效应的元件是：（）A、光敏二极管B、硅光电池C、光电管D、光导管6、为提高电桥的灵敏度，可采取的方法是：（）oA、半桥双臂各串联一片电阻应变片；B、半桥双臂各并联一片电阻应变片；C、适当提高电桥的电源电压；D、增大应变片的初始电阻值。7、一阶传感器输出达到稳态值的10%到90%所需的时间是（）。A、延迟时间B、上升时间C、峰值时间D、响应时间8、传感器的下列指标全部属于静态特性的是（）。A、线性度、灵敏度、阻尼系数B、幅频特性、相频特性、稳态误差C、迟滞、重复性、漂移D、精度、时间常数、重复性9、属于传感器动态特性指标的是（）oA、重复性B、固有频率C、灵敏度D、漂移10、影响金属导电材料应变灵敏度系数K的主要因素是（）。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化11、电阻应变片的线路温度补偿方法有（）oA、差动电桥补偿法B、补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法C、补偿线圈补偿法D、恒流源温度补偿电路法12、如将变面积型电容式传感器接成差动形式，其灵敏度将（）。A、保持不变B、增大为原来的一倍C、减小一倍D、增大为原来的两倍13、试题关键字：变间隙式。当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的（）oA、灵敏度增加B、灵敏度减小C、非线性误差增加D、非线性误差不变14、试题关键字：平衡条件。交流电桥的平衡条件为（）。A、相邻桥臂阻抗值乘积相等B、相对桥臂阻抗值乘积相等C、相对桥臂阻抗值比值相等D、相邻桥臂阻抗值之和相等15、将一支灵敏度为0.08mV/°C的热电偶与电压表相连，电压表接线端处温度为50°Co电压表上读数为60mV,则热电偶热端温度为（）°C。A、600B、750C、850D、800二、不定项选择题（每题2分，共10分）1、利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（ABCD）。A、磁场B、电功率C、载流子浓度D、载流子类型2、电容式传感器中输入量与输出量的关系为线性的有（AB）。A、变面积型电容传感器B、变介质型电容传感器C、变电荷型电容传感器D、变极距型电容传感器3、电阻应变片的线路温度补偿方法有（ABD）。A、差动电桥补偿法B、补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法C、补偿线圈补偿法D、恒流源温度补偿电路法4、当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的（BD）。A、灵敏度增加B、灵敏度减小C、非统性误差增加D、非线性误差减小5、在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（BD）。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应三、名词解释（每题2分，共10分）1.标定：2.传感器：3.动特性：4.多普勒效应：5.分辨力：四、判断题（每题1分，共10分）1,压电式传感器具有体积小、结构简单等优点，适合于频率较低的被测量的测量，甚至是静态量的测量。（）2,光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大。这样光敏电阻的灵敏度就高。（）3,真值是指一定的时间及空间条件下，某物理量体现的真实数值。真值是客观存在的，而且是可以测量的。（）4.线性度是传感器的静态特性之一。（）5.电涡流式传感器可以进行无接触测量和探伤。（）6.光电三极管不是根据光电效应原理制成的。（）7.应变片式压力传感器仅能对压力进行测量。（）8.热敏电阻除了用于温度传感器外，还可用于湿度传感器。（）9.时间响应特性为传感器的静态特性之一。（）10.变压器式传感器可以进行无接触测量。（）五、简答题（每题5分，