第十四章化学气相沉积（1）.化学气相沉积法简称CVD法用来：提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料：可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是某些二元(如GaAs)或多元(如GaAs1－ｘPｘ)的化合物，它们的物理特性可以通过气相掺杂(chānzá)的沉积过程精确控制。化学气相沉积已成为无机合成化学的一个新领域。（2）.化学气相沉积：是利用气态物质在一固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。（3）.化学气相沉积所用的反应体系要符合下面一些基本要求1)能够形成所需要的材料沉积层或材料层的组合，其它反应产物均易挥发。2)反应剂在室温下最好是气态，或在不太高的温度下有相当的蒸气压，且容易获得高纯品。3)沉积装置(zhuāngzhì)简单，操作方便，工艺上具有重现性，适于批量生产，成本低廉。根据这些(zhèxiē)要求，在实际应用上形成了许多种反应体系和相应的技术：化学气相沉积法有高压化学气相沉积法(ＨＰ—CVD)、低压化学气相沉积法(ＬＰ—CVD)、等离子化学气相沉积法(P—CVD)、激光化学气相沉积法(L—CVD)、金属有机化合物气相沉积法(MO—CVD)、高温化学气相沉积法(HT—CVD)、中温化学气相沉积法(MT—CVD)、低温化学气相沉积法(ＬＴ—CVD)。以上主要区别：加热源不同；所选用的原料不同，反应时所选择的压力不同，或者温度不同。1．热解反应热解法：一般在简单的单温区炉中，于真空(zhēnkōng)或惰性气氛下加热衬底至所需温度后，导入反应剂气体使之发生热分解，最后在衬底上沉积出固体材料层。热解法已用于制备金属、半导体、绝缘体等各种材料，这类反应体系的主要问题是源物质和热解温度的选择。在选择源物质时：既要考虑其蒸气压与温度的关系，又要特别注意在不同热解温度下的分解产物，保证固相仅仅为所需要的沉积物质，而没有其它夹杂物。比如，用金属有机化合物沉积半导体材料时，就不应夹杂碳的沉积。因此，化合物中各元素间有关键强度的资料(离解能D或键能E)往往是需要考虑的。(1)氢化物氢化物M—H键的离解能、键能都比较(bǐjiào)小，热解温度低，惟一副产物是没有腐蚀性的氢气。例如(2)金属烷基化合物其M—Ｃ健能一般小于Ｃ—Ｃ键能，可广泛用于沉积高附着性的金属膜。如用三丁基铝热解可得金属铝膜。若用元素的烷氧基配合(pèihé)物，由于M—Ｏ键能大于Ｃ—Ｏ键能，所以可用来沉积氧化物。例如(3)羰基化合物和羰基氯化物多用于贵金属(jīnshǔ)(铂族)和其它过渡金属(jīnshǔ)的沉积，例如(4)单氨配合物已用于热解制备(zhìbèi)氮化物，例如2．化学合成反应化学合成反应：绝大多数沉积过程都涉及到两种或多种气态反应物在一热衬底上相互反应，这类反应即为化学合成反应。其中最普通的一种类型是用氢气还原卤化物来沉积各种金属、半导体。例如(lìrú)，用四氯化硅的氢还原法生长硅外延片，反应为该反应与硅烷热分解不同，在反应温度下其平衡常数接近于1。因此，调整反应器内气流的组成，例如加大氯化氢浓度，反应就会逆向进行。可利用这个逆反应进行外延前的气相腐蚀清洗(qīngxǐ)。在腐蚀过的新鲜单晶表面上再外延生长，则可得到缺陷少、纯度高的外延层。在混合气体中若加入PＣｌ5，、BＢｒ3一类的卤化物，它们也能被氢还原，这样磷或硼可分别作为n型和p型杂质进入硅外延层，即所谓的掺杂过程。和热解法比较起来，化学合成反应的应用更为广泛。因为可用于热解沉积的化合物并不多，而任意一种无机材料原则上都可通过合适的反应合成出来。除了制备各种单晶薄膜以外，化学合成反应还可用来制备多晶态和玻璃(bōlí)态的沉积层。如siＯ2、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３N4、B—Ｓi玻璃(bōlí)以及各种金属氧化物、氮化物等。下面是一些有代表的反应体系：/3．化学输运反应化学输运反应：是把所需要(xūyào)沉积的物质作为源物质，用适当的气体介质与之反应，形成一种气态化合物，然后这种气态化合物，借助载气被输运到与源区温度不同的沉积区，再发生逆反应，使反应源物质重新沉积出来，这样的反应过程称为化学输运反应。化学输运反应可用来制备新化合物、单晶、薄膜、高纯物质等，近年来，已成为重要的合成方法。(1)化学输运反应条件的选择(2)化学输运反应的类型(lèixíng)化学输运反应的类型(lèixíng)很多，如：①利用卤素作输运试剂的输运反应利用碘化物热分解法制取高纯难溶金属Ti、Ｚr是人们最早知道的化学输运反应。该方法是VaｍArkel和DeBoer首先采用的。化学气相沉积温度可以大大低于物质的熔点或升华温度，因而它可用于高熔点物质或高温分解物质的单晶制备。化学气相沉积法制备的ＺnS、ZnSe单晶完善性