ZnO-MOCVD的生长模拟及Mn的原位掺杂研究的开题报告.docx
上传人:王子****青蛙 上传时间:2024-09-15 格式:DOCX 页数:2 大小:10KB 金币:10 举报 版权申诉
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ZnOMOCVD的生长模拟及Mn的原位掺杂研究的开题报告开题报告:一、选题背景氧化锌(ZnO)的应用领域很广,如光电子学器件、传感器、发光二极体、太阳能电池等。其中,ZnO发光二极管是近年来研究的热点之一,而其中的难点在于控制载流子浓度和Mn掺杂。原位掺杂是一种常见的掺杂方法,可以在生长过程中将材料中的杂质掺入。对于ZnO来说,Mn离子是一种常用的杂质,可以通过原位掺杂来实现。但是,Mn的掺入需要在生长过程中进行控制,这需要对ZnO生长和Mn原位掺杂的机理进行深入研究。二、研究内容和方法本研究的主要内容为生长模拟和Mn原位掺杂研究。具体来说,将采用MOCVD方法生长ZnO薄膜,并通过数值模拟的方法研究生长过程中的温度、流量和压力等参数对薄膜品质的影响。同时,通过原位掺杂的方法掺入不同浓度的Mn,研究Mn掺杂对ZnO薄膜结构和性质的影响。三、研究意义和预期成果本研究将对ZnO发光二极管的制备提供理论依据和实验支持。通过研究ZnO生长和Mn原位掺杂的机理,有望解决发光二极管中载流子浓度和掺杂问题,提高其发光效率和稳定性。同时,本研究将深入了解MOCVD方法生长ZnO薄膜的机制,对其它氧化物的生长研究也具有一定的参考价值。预期成果为:(1)研究ZnO生长时不同参数(温度、流量、压力等)对薄膜品质的影响,得到优良的ZnO薄膜;(2)通过原位掺杂方法实现Mn掺杂,并研究Mn对ZnO薄膜结构和性质的影响;(3)深入了解MOCVD方法的机制,并为其它氧化物的生长提供参考和借鉴。四、进度安排第一年:进行ZnO薄膜生长和品质分析,初步研究Mn原位掺杂方法,并确定掺杂浓度范围。第二年:进一步研究Mn原位掺杂方法,研究Mn对ZnO薄膜性质的影响,初步分析实验结果。第三年:深入分析实验结果,总结分析掺杂机理和生长机理,撰写毕业论文。以上为本研究的开题报告。