深亚微米CMOS集成电路片上无源器件仿真，测试，参数提取及模型研究的任务书任务书一、任务背景随着电子技术和信息技术的飞速发展，集成电路已经成为现代电子产品的核心组成部分。而深亚微米的CMOS集成电路则是目前集成电路中主流的技术之一。在深亚微米CMOS集成电路中，无源器件的性能是决定整个电路工作性能的关键。本任务旨在对深亚微米CMOS集成电路片上无源器件进行仿真、测试、参数提取及模型研究，掌握其性能特点和优化方法。二、任务目标1.掌握深亚微米CMOS集成电路片上无源器件的类型、工作原理、性能特点和制造工艺；2.学习并掌握无源器件的SPICE模型，包括基本参数和附加参数；3.利用仿真软件对深亚微米CMOS集成电路片上无源器件进行仿真，研究其电学特性和性能；4.建立无源器件参数提取测试系统，对深亚微米CMOS集成电路片上无源器件进行测试，提取其电学参数；5.对所提取的参数进行数据分析和处理，建立无源器件参数模型，掌握无源器件的参数优化方法；6.编写实验报告，总结任务成果和经验，提出进一步深入研究的方向和问题。三、任务计划1.学习深亚微米CMOS集成电路片上无源器件的类型、工作原理、性能特点和制造工艺，时间：1周；2.学习无源器件的SPICE模型及参数提取测试方法，时间：1周；3.利用仿真软件进行深亚微米CMOS集成电路片上无源器件的电学特性仿真，研究性能，时间：2周；4.建立无源器件参数提取测试系统，进行深亚微米CMOS集成电路片上无源器件的测试和电学参数提取，时间：2周；5.对所提取的参数进行数据分析和处理，建立无源器件参数模型，掌握无源器件参数优化方法，时间：2周；6.编写实验报告，总结任务成果和经验，提出进一步深入研究的方向和问题，时间：1周。四、任务要求1.具有较好的电子技术和集成电路基础知识，熟悉深亚微米CMOS集成电路的基本原理和工作特点；2.熟练掌握SPICE仿真软件和参数提取测试系统的使用方法，并进行实际操作；3.具有一定的数据处理和统计分析能力，能够对数据进行准确分析和处理；4.具有一定的英语阅读和文献调研能力，能够查阅相关文献进行深入研究；5.独立完成任务，按时提交实验报告。五、参考文献1.《模拟电路设计》第七版，RazaviBehzad编著，电子工业出版社。2.《模拟电子技术基础》第二版，张韬，冯启承编著，电子工业出版社。3.《CMOS模拟电路设计》第三版，R.JacobBaker，HarryW.Li以及DavidE.Boyyes编著，机械工业出版社。4.《SPICE模拟电路基础与多学科计算机辅助设计》吕瑞强编著，高等教育出版社。6.C.EnzandG.Steyaert,“AnanalyticalMOStransistormodelvalidinallregionsofoperationanddedicatedtolow-voltageandlow-currentapplications,”AnalogIntegratedCircuitsandSignalProcessing,vol.8,no.1,pp.83-114,Jan.1995.7.J.Cao,“CompactmodelingofRFMOSFETs,”IEEETransactionsonMicrowaveTheoryandTechniques,vol.47,no.11,pp.2147-2156,Nov.1999.