硅片检验质量控制质量部：宋纯瑶目录1、硅片检验流程2、不良品图例3、原材料投诉流程4、赔偿机制1、硅片检验流程3全检包装有明显破损通知供应商１单晶＜２us,多晶＜5us退货２如果７０％＞３０us接受300片抽一片１片，超３如果９０﹪＞５us接受过300片抽2片少子寿命４如果不满足２.３.的条件低于标准的做退货碎片，缺角，崩边，污渍，台阶，穿孔全检裂纹，划伤，无倒角退片边长１００片每盒的抽１片对角线３００片每盒的抽３片厚度如果不良硅片被检出，则再抽5片ＴＴＶ如果再发现不良则整盒拒收直角弯曲１００片每盒的抽１片３００片每盒的抽３片如果OOS硅片被检出，则再抽5片电阻率，晶型如果在抽样中则整盒拒收1-1少子寿命测试4抽样我司采用的少子寿命测试方法：碘酒钝化的方法。插片使用设备:SemilabW-1000b(见下图）微波光电导衰减法（μPCD法），其原理是904nm清洗、制绒的激光注入硅片大约30μm，产生电子-空穴对，装袋导致电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流加碘酒子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间测试变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。清洗甩干1-2尺寸测量5边长对角线1-3TV/TTV测试6五点法测试：边缘4个、中心点1个，探头直径为14mm，探头中心点到硅片边缘为10mm。目前我司有两种检测设备，MS203和MANZ全自动硅片分选设备，技术标准规定五点法的测试方法，在技术要求没有比昂更之前，质量部会以MS203设备的测试结果为准进行投诉处理，避免投诉后引起争议。MS203设备的测试原理：厚度是通过探头检测电容的变化。电阻率是探头检测电流的变化。1-4电阻率/导电类型测试7电阻率导电类型1-5外观检验82-、硅片不良碎片91、无法进行后续生产碎片不合格硅片不良-缺角101、由于已经存在缺角，在碎裂部位存在力的延伸和应力点，后续生产会产生较多的碎片2、由于缺角位置不一致，大小上存在差异，后续定位、各工序均无法正常开展，如：刻蚀工序，由于大小不一无法保证硅片边缘被刻通；丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能会造成正负极短路；另一方面可能会因为银浆流到电池存放台造成后续电池片污染等不良状况出现3、由于缺角也可能造成电池实际可利用面积减少，从而影响电池的转换效率。-硅片不良崩边111、由于已经存在崩边，在崩边部位存在力的延伸和应力点，后续生产会产生较多的碎片2、由于崩边位置不一致，大小上存在差异，后续定位、各工序均无法正常开展，如：刻蚀工序，由于大小不一无法保证硅片边缘被刻通；丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能会造成正负极短路；另一方面可能会因为银浆流崩边到电池存放台造成后续电池片污染；等不良状况出现3、由于崩边也可能造成电池实合格:无崩边际可利用面积减少，从而影响电池的转换效率。硅片不良-针孔12针孔片拉晶的材料中混有微小的杂质，这些杂质在拉晶过程中进入晶体。切片后在制绒阶段，杂质被腐蚀掉，出现针孔。-硅片不良锯痕13锯痕合格≤μ:20m1、清洗、制绒后产生亮线，镀膜无法掩盖，影响电池片外观2、制造过程中特别是丝网印刷过程中硅片的叠加、挤压，会造成破碎3、丝网印刷中断线、缺印等不良状况产生-硅片不良密集型线痕141、清洗、制绒后产生亮线，镀膜无法掩盖，影响电池片外观2、制造过程中特别是丝网印刷过程中硅片的叠加、挤压，会造成破碎3、丝网印刷中断线、缺印等不良状况产生-硅片不良台阶15台阶片合格:≤20μm1、清洗、制绒后产生亮线，镀膜无法掩盖，影响电池片外观2、制造过程中硅片的叠加、挤压，会造成破碎3、丝网印刷过程中由于厚薄有差别，易造成碎片-硅片不良弯曲16弯曲片弯曲可能是由于硅棒本身内应力或位错造成的，可能造成：合格:≤0.075mm1、硅片清洗甩干时会因为内部应力，而造成破碎2、扩散过程中由于高温作用对硅片应力产生影响，由于其原材料本身的原因，会造成较多破碎3、PECVD镀膜设备较高的弯曲度要求，对于弯曲大于0.5mm的硅片，会造成镀膜不良，严重影响电池片电性能4、丝网印刷时，栅线印刷不良出现断栅或栅线不全；5、丝网印刷刮板通过时可能造成因挤压造成的碎片。-硅片不良翘曲17翘曲可能是由于硅棒本身内应力或位错造成的，可能造成：1、硅片