第5章半导体三极管5.1.1基本(jīběn)结构基区：最薄，掺杂(chānzá)浓度最低•发射区的掺杂(chānzá)浓度最高；5.1.2BJT的电流(diànliú)分配和放大原理5.1.2BJT的电流(diànliú)分配与放大原理☆三极管的基本(jīběn)接法5.1.3特性(tèxìng)曲线vCE=0V(3)输入(shūrù)特性曲线的三个部分2.输出特性放大(fàngdà)区：Je正偏，Jc反偏；IC=IB,且iC=iB；VC>VB>VE。测量三极管三个电极(diànjí)对地电位，试判断三极管的工作状态。例2：5.1.4主要参数在以后的计算中，一般(yībān)作近似处理：=。1.集-基极反向截止(jiézhǐ)电流ICBO1.集电极最大允许(yǔnxǔ)电流ICM感谢您的观看(guānkàn)！内容(nèiróng)总结