1．纯净半导体Si中掺=5\*ROMANV族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。其运动速度正比于电场，比例系数称为迁移率。3．nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？不变；当温度变化时，nopo改变否？改变。4．非平衡载流子通过复合效应而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关。5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是，称为关爱因斯坦关系式。6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。8．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末，为非简并条件；为弱简并条件；为简并条件。9.以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率与温度的-3/2次方成正比。10.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。11.电子在晶体中的共有化运动指的是电子不在完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由移动到其它晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。12．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为PN结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。13.半导体中掺杂浓度很高时，杂质电离能增大，禁带宽度减小。14.简并半导体一般是重掺杂半导体，这时电离杂质对载流子的散射作用不可忽略。15.处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会下降/减小，电阻率会上升/增大。16.电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。17.随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号由正变为负。18.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有杂质补偿的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。19.ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体。20.相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较高/大。21.掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种深能级杂质，通常起复合中心的作用，使得载流子寿命减小。22.有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。23.某N型Si半导体的功函数WS是4.3eV，金属Al的功函数Wm是4.2eV，该半导体和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接触。24.有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/Ei。26.金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变窄/变薄）。27.硅的导带极小值位于布里渊区的＜100＞方向上，根据晶体的对称性共有6个等价能谷。n型硅掺砷后，费米能级向Ec(上)移动，如升高材料的工作温度，则费米能级向Ei(下)移动。28.波尔兹曼分布函数为29.对于导带为多能谷的半导体，如GaAs，当能量适当高的子能谷的曲率较小时，有可能观察导负微分电导现象，这是因为这种子能谷中的电子的有效质量较大。30.复合中心的作用是促进电子和空穴的复合，起有效的复合中心的杂质能级必须位于Ei（禁带中线），并且对电子和空穴的俘获系数rn和rp必须满足。31.热平衡条件下，半导体中同时含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件是＿p0+nD+=n0+pA-。32.金半接触时，常用的形成欧姆接触的方法有＿隧道效应和＿反阻挡层33.在半导体中，如果温度升高，则考虑对载流子的散射作用时，电离杂质散射概率减小和晶格振动散射概率增大。34.半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于金刚石结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成闪锌矿和纤锌矿等两种晶格结构。35.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为直接禁带半导体，否则称为间接禁带半导体，那么按这种原则分类，GaAs属于直接禁带半导体。36.半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有晶格振